트랜스폼, 2024 APEC에서 저전력 및 고전력 응용 분야 위한 SuperGaN 혁신 선보여

골레타, 캘리포니아 -- 비즈니스와이어 -- 강력한 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 실버 파트너 트랜스폼(Transphorm, Inc.) (https://cts.businesswire.com/ct/CT?id=smartlink&url=https%3A%2F%2Fwww.transphormusa.com%2F&esheet=53892564&lan=en-US&anchor=Transphorm%2C+Inc.&index=1&md5=1397ddbb859dc0975b3f4fe686b0fb22)(나스닥: TGAN)이 오늘 2024 APEC (https://cts.businesswire.com/ct/CT?id=smartlink&url=https%3A%2F%2Fapec-conf.org%2F&esheet=53892564&lan=en-US&anchor=APEC+2024&index=2&md5=87801f8e236d0d18fa0efbc7927a2194) 쇼케이스에서 광범위한 스펙트럼(저전력 및 고전력) GaN 전력 변환으로 회사의 지속적인 리더십을 강조할 계획을 발표했다. 이러한 리더십 역할을 통해 트랜스폼은 고전력 시스템 제조업체가 GaN의 성능 이점을 이용할 수 있게 지원하는 유일한 GaN 반도체 회사 중 하나로 자리매김한다. 참석자들은 2월 25일부터 29일까지 행사 기간 동안 부스 1813에서 트랜스폼을 방문할 수 있다.

올해 트랜스폼은 업계 최초의 1200 V GaN-on-Sapphire 디바이스 (https://cts.businesswire.com/ct/CT?id=smartlink&url=https%3A%2F%2Fwww.transphormusa.com%2Fen%2Fnews%2F1200vgan_devicemodel%2F&esheet=53892564&lan=en-US&anchor=1200+V+GaN-on-Sapphire+device&index=3&md5=bea2f1df8021fedb418f17c752ed1a7e) 모델 및 최고의 단락 견고성 (https://cts.businesswire.com/ct/CT?id=smartlink&url=https%3A%2F%2Fwww.transphormusa.com%2Fen%2Fnews%2F5microsecondscwt_gan%2F&esheet=53892564&lan=en-US&anchor=short+circuit+robustness&index=4&md5=982e578121c6c35f2227ddbbe9371af9)을 자랑하는 주요 혁신 이정표를 강조할 예정이다. 당사의 다목적 SuperGaN® 디바이스 포트폴리오 (https://cts.businesswire.com/ct/CT?id=smartlink&url=https%3A%2F%2Fwww.transphormusa.com%2Fen%2Fproducts%2F&esheet=53892564&lan=en-US&anchor=SuperGaN%26%23174%3B+device+portfolio&index=5&md5=d3a4a871b8705bc20a8421fc18da0f16)는 다양한 방열판 구성이 필요한 고전력 시스템을 위한 완전하고 유연한 패키징의 선택을 완성하는 TO-247-4L, TOLL 및 TOLT 등 최근 발표된 패키지를 포함해 단연 최고이다. 마지막으로 현장 시연에서는 고성능 무정전 양방향 전원 공급 장치부터 태양 에너지 마이크로인버터 및 2륜/3륜 전기 자동차 시스템에 이르기까지 다양한 획기적인 전력 시스템에 대한 회사의 기술을 선보일 예정이다.

경쟁 옵션(예: e-모드 GaN, SiC, 실리콘)보다 뛰어난 우수한 GaN 솔루션을 고객에게 제공하는 트랜스폼의 능력은 기본 물리학을 수용하고 증폭하는 미래 지향적 SuperGaN 플랫폼에서 비롯된다. 트랜스폼은 캐스코드를 사용해 상시 꺼짐 d-모드 GaN 기술을 제조한다. 이러한 설계 구성을 통해 고유한 플랫폼 현상은 최대한의 잠재력을 발휘할 수 있으며, 해당 현상에는 2DEG GaN HEMT 채널 및 SiO2/Si 게이트 인터페이스(트랜스폼의 GaN HEMT와 페어링된 저전압 MOSFET이 생성함)가 포함된다. 당사가 최근 발표한 백서에는 이러한 장점이 설명돼 있으며 다음 위치에서 다운로드할 수 있다. https://bit.ly/dmodeadvwp.

전력 스펙트럼을 넘나드는 하나의 핵심 플랫폼

트랜스폼은 다음과 같은 기술로 차별화된 선도적인 GaN 전력 반도체 회사이다.

제조 가능성: EPI 디자인, 웨이퍼 프로세스 및 FET 다이 설계를 소유해 수직으로 통합된다.

설계 가능성: 잘 알려진 업계 표준 패키지 및 성능 패키지를 제공하는 한편 펌웨어(Microchip Technology) 및 하드웨어 통합(Weltrend Semiconductor) 분야의 유명한 글로벌 기업과 협력해 쉽게 설계할 수 있다.

구동성: 실리콘처럼 구동되고 기성 컨트롤러 및 드라이버와 쌍을 이루면서 최소한의 외부 회로가 필요한 장치를 제공한다.

안정성: 저전력 및 고전력 응용 분야에서 1000억 시간 이상의 현장 작동 중 현재 FIT 비율 0.05 미만으로 여전히 업계를 이끌고 있다.

오늘날 트랜스폼은 가장 광범위한 전력 응용 분야에서 가장 폭넓은 전력 변환 요구 사항(45W ~ 10+kW)을 지원한다. 당사의 FET 포트폴리오에는 650V 및 900V 장치와 개발 중인 1200V 장치가 포함된다. 이 장치는 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 획득해 전원 어댑터 및 컴퓨터 PSU부터 광범위한 산업용 UPS 및 전기 차량 이동 시스템에 이르기까지 최적의 솔루션을 제공한다. APEC에 전시될 혼합 고객 제품은 트랜스폼 SuperGaN 플랫폼의 광범위한 유용성을 보여준다.

연사 참여

트랜스폼 전문가는 다음 프레젠테이션을 통해 현장에서 청중과 소통할 예정이다.

고전력 GaN 디바이스 및 응용 분야 전문 교육 세미나(S17): 2월 26일 오전 8시 30분 발표자: CTO 사무실 기술 직원 다비드 비시(Davide Bisi), 비즈니스 개발 및 마케팅 SVP 선임 부사장 필립 주크(Philip Zuk), 전 세계 영업 및 FAE 부사장 투샤르 다야구데(Tushar Dhayagude)

SuperGaN의 차이점: 상시 꺼짐 d 모드 GaN 전력 반도체의 장점 참가업체 세미나: 2월 27일 오후 2시 15분 발표자: 기술 영업 관리자 제니 코르테즈(Jenny Cortez)

마이크로인버터 및 모터 드라이브를 위한 GaN 4사분면 스위치 기술 업계 세션(IS16.2): 2월 28일 오후 1시 55분 발표자: CTO 사무실 기술 직원 기탁 굽타(Geetak Gupta)

단락 저항 시간이 5μs인 15mΩ GaN 디바이스 업계 세션(IS22.6): 2월 29일 오전 10시 55분 발표자: CTO 사무실 기술 직원 다비드 비시(Davide Bisi) 박사

우리와 만나기

전시회 중 트랜스폼과 미팅을 예약하려면 vipin.bothra@transphormusa.com 으로 연락하십시오.

트랜스폼 소개

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최대 규모의 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유하고 있는 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 고전압 GaN 반도체 장치를 생산하고 있다. 이 회사의 수직 통합 디바이스 비즈니스 모델은 설계, 제조, 디바이스 및 애플리케이션 지원에 이르는 모든 개발 단계에서 혁신을 촉진한다. 트랜스폼의 혁신 기술을 채택한 전력 전자 디바이스는 실리콘의 한계를 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성할 수 있다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에서 제조 시설을 운영하고 있다. 자세한 정보는 www.transphormusa.com 에서 확인하고, 트위터 @transphormusa 및 위챗 Transphorm_GaN으로 팔로우할 수 있다.

SuperGaN은 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 자산이다.

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출처:Transphorm, Inc.

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