SK하이닉스 "HBM 성장률 40%…2026년 HBM4 양산"

김춘환 SK하이닉스 부사장이 31일 세미콘코리아 2024에서 기조연설하는 모습/사진=한지연기자

SK하이닉스가 올해 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E를, 2026년에는 HBM4를 내놓겠다고 밝혔다. 낸드플래시에선 400단급부터 하이브리드 본딩을 적용할 예정이다.

김춘환 SK하이닉스 부사장이 31일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 세미콘 코리아 2024에서 기조연설자로 나서 이같이 밝혔다. 김 부사장은 이날 SK하이닉스의 향후 메모리반도체 로드맵, 한계 극복을 위한 기술 등을 설명했다.

김 부사장은 AI(인공지능) 시대로 진입하면서 고성능 메모리반도체의 중요성이 더욱 커졌다고 봤다. 김 부사장은 "AI 컴퓨팅 시대가 도래하면서 생성형 AI가 급속한 발전을 하는 중"이라며 "생성 AI시장은 연평균 35% 성장률을 보일 것"이라고 밝혔다. 그러면서 "올해는 반도체 수요가 증가하면서 고객 요구에 맞는 메모리를 제공하기 위해 (메모리 업계가) 치열한 생존경쟁에 나설 것"이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 AI반도체 필수재인 HBM 시장 선두기업이다. 현존 최고 사양인 HBM3를 양산하고 있고, 올해 상반기 중 HBM3E를 내놓는다. 2026년엔 HBM4를 양산할 계획이라고 밝혔다. 김 부사장은 HBM 시장 성장률이 2025년까지 40%에 달할 것이라 내다봤다.

D램과 낸드플래시를 나눠 구체적인 트렌드도 설명했다. 김 부사장은 "현재 1b급 제품을 양산 중으로, 1c는 연구개발 중"이라면서도 "10나노급 이하에선 극심한 기술 한계에 직면할 것으로 예상한다"고 말했다. 이 때문에 기업들이 앞다퉈 신소재와 신구조 개발에 열을 올리고 있다.

회로 선폭이 좁을수록 성능과 효율이 좋은데, 동시에 기술 난이도도 높다. D램 시장은 제품 정보를 노출하지 않기 위해 선폭을 구체적 숫자 대신 기호나 세대로 나타내고 있다. 현재 1b 회로 선폭이 업계 최선단으로 12나노미터(nm, 1nm는 10억분의 1m)급이다. 1c는 다음 세대다.

낸드플래시와 관련해선, 400단급 낸드부터 하이브리드 본딩을 적용할 수 있다고 밝혔다. 웨이퍼 두 개를 결합하는 방식이다. 김 부사장은 "3D낸드 400단급 제품에서 웨이퍼 본딩 기술을 채택해 차세대 플랫폼을 개발 중"이라며 "하이브리드 본딩이 게임체인저가 될 것"이라고 말했다.

한지연 기자 vividhan@mt.co.kr