김춘환 SK하이닉스 부사장 "400단급 낸드 하이브리드 본딩 적용"

31일 서울 강남구 코엑스에서 개막한 '세미콘 코리아 2024'에서 김춘환 SK하이닉스 부사장이 기조연설을 하고 있다. / 사진=이한듬 기자

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리)에 이어 400단급 낸드플래시 개발에도 하이브리드 본딩 기술을 적용할 계획이다.

김춘환 SK하이닉스 부사장은 31일 서울 강남구 코엑스에서 개막한 '세미콘 코리아 2024'에서 기조연설을 통해 "ㅊ3D 낸드 400단급 제품에서 하이브리드 본딩 기술을 적용해 경제성을 만족하고 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝혔다.

하이브리드 본딩은 칩 사이 연결통로의 일종인 '범프'를 없애고 대신 구리로 접착시키는 기술이다. 본딩 레이어의 두께를 줄이고 전기 경로를 짧게해 저항을 낮출 수 있다. 마치 단일 칩처럼 성능 저하 없이 고속으로 작동할 수 있는 혁신 기술로 꼽힌다.

앞서 SK하이닉스는 고용량·고적층 HBM에 이 기술을 적용하는 방안을 추진해왔다. 2022년 HBM2E에 하이브리드 본딩을 적용해 8단 적층을 구현하고 전기 테스트까지 완료, 기본적인 신뢰성을 확보한 바 있다.

SK하이닉스가 메모리 기술 혁신에 힘을 쏟는 이유는 인공지능(AI) 시대의 도래로 반도체 시장 변화가 빠르게 이뤄지고 있어서다.

AI 컴퓨팅 시대가 도래하면서 다양한 서비스 나오고 특히 생성형 AI의 급격한 발전 이뤄지고 있다. 생성형 AI는 연평균 35%씩 성장하고 2025년 생성형 AI가 모든 데이터의 10% 차지할 것으로 예상된다. 이에 따라 보다 효율적으로 처리하고 저장할 고성능 메모리가 필요하다.

현재 D램은 고객 요구에 대응해 고도화가 이뤄지고 있고 최근 고사양 HBM, DDR5 등 다양한 D램 개발 진행되고 있다. 특히 HBM은 2026년까지 연평균 40%씩 초고속 성장할 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 현재 HBM3를 엔비디아에 공급하고 있다. 김 부사장은 "올해 HBM3보다 성능이 1.5배 개선된 HBM3E 양산할 예정"이라며 "2026에는 HBM4를 출시할 계획"이라고 말했다.