불황에 더 중요한 '초격차 기술'…삼성전자 지난해 시설투자 '53조'

시설투자액 중 DS부문에만 48.4조 투입…메모리·파운드리 집중
R&D에도 작년 28조 집행…올 1분기 전체 메모리 흑자 전망

삼성전자 화성캠퍼스 전경. (삼성전자 제공) ⓒ News1 강태우 기자

(서울=뉴스1) 강태우 기자 = 삼성전자가 '반도체 한파'로 지난해 DS(반도체)부문에서 약 15조원의 적자가 발생했음에도 역대 최대 규모의 연구개발(R&D)·시설투자를 이어갔다.

31일 삼성전자(005930)는 지난해 4분기 매출과 영업이익이 각각 67조7799억원, 2조8247억원을 기록했다고 밝혔다. DS부문에서는 같은 기간 적자폭을 줄이며 2조1800억원의 영업손실이 났다. 작년 전체로는 DS부문에서만 14조8800억원의 적자가 발생했다.

삼성전자는 4분기에도 영업이익 3배에 달하는 7조5500억원을 R&D에 투자했다. 연간으로는 총 28조3400억원이 투입됐는데 이는 기존 역대 최대였던 24조9200억원(2022년)을 뛰어넘는 수치다.

삼성전자는 실적 악화 상황에도 미래 성장 준비를 위해 투자를 멈추지 않는다는 방침이다. 메모리·파운드리 인프라 확장 등 시설투자에도 역대급 투자가 이뤄졌다.

4분기 시설투자에는 16조4000억원이 투입됐는데 이는 기존 분기 최대인 20조2000억원(2022년 4분기)에 이어 역대 두번째로 큰 규모다. 지난해 연간 시설투자액은 약 53조1000억원(DS 48조4000억원·디스플레이 2조4000억원)이었다.

특히 지난 3분기 예상됐던 DS부문의 연간 시설투자액(47조5000억원)은 최종적으로 9000억원 더 늘었다. 5나노 이하 선단 공정확대와 미국 테일러시 파운드리 공장 인프라 확대 등에 집중 투자됐다. 반도체 업황 반등에 맞춰 기술 리더십을 강화한다는 의지가 반영된 것이다.

ⓒ News1 김초희 디자이너

삼성전자 DS는 △4조5800억원(1분기) △4조3600억원(2분기) △3조7500억원(3분기) △2조1800억원(4분기)으로 적자폭을 계속해서 줄여오고 있다.

4분기에는 3분기 대비 1조5700억원의 영업손실을 줄였는데 4분기에 D램이 흑자전환한 영향으로 분석된다. 증권가에서는 4분기 D램에서 7000억~1조2000억원의 영업이익이 났을 것으로 보고 있다.

PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고, 인공지능(AI) 중심의 견조한 서버 수요가 지속되는 등 메모리 업황은 점차 개선되고 있다.

특히 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리), DDR5(더블데이터레이트5) 등 고부가 제품 판매를 확대하며 D램 시장의 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 대폭 상회했고 이에 따라 재고 수준 개선과 ASP(평균판매가격) 상승 확대로 실적이 개선됐다는 설명이다.

이런 흐름 속에 삼성전자는 과감한 투자를 통해 완성한 선단공정 공급 경쟁력을 기반으로 올해 고용량 DDR5 시장 리더십 제고, 차세대 HBM3E 적기 양산, 하반기 12단 전환 가속 등에 나서며 수익성 개선에 집중한다는 계획이다.

한편 업계에선 올해 1분기 D램뿐 아니라 낸드플래시 메모리 역시 수익성이 개선되며 전체 메모리 실적이 흑자전환할 것으로 보고 있다. 증권가에선 올 1분기 메모리 부문 영업이익이 3000억~8400억원가량 발생할 것으로 전망하고 있다.

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