삼성전자, 1년 만에 D램 흑자…작년 시설투자 91%가 반도체(2보)

서울 삼성전자 서초사옥.

[파이낸셜뉴스] 삼성전자 반도체(DS) 부문이 분기 적자 규모를 2조원대까지 축소했다. D램 사업은 1년여 만에 흑자로 돌아섰다.

삼성전자는 1월 31일 DS 부문의 4·4분기 매출과 영업손실이 각각 21조6900억원, 2조1800억원을 기록했다고 밝혔다. 앞서 DS부문은 지난해 1·4분기 4조5800억원의 영업손실을 낸 이후 2·4분기 4조3600억원, 3·4분기 3조7500억원의 적자를 봤다.

메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 인공지능(AI) 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다.

삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 △고대역폭메모리(HBM) △더블데이터레이트(DDR)5 △저전력더블데이터레이트5X(LPDDR5X) △유니버셜 플래시 스토리지 4.0(UFS4.0) 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다.

그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했다. D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선돼 4·4분기 D램 흑자 전환을 달성했다. 삼성전자의 D램 사업은 지난해 1·4분기 적자를 기록한 이래 4분기 만에 흑자로 돌아섰다.

팹리스(반도체 설계전문)인 시스템LSI사업부는 스마트폰 재고 조정이 마무리되면서 부품 구매 수요가 증가하고 '엑시노스 2400'이 주요 고객사 플래그십 모델에 적용되면서 3·4분기 대비 매출과 손익이 모두 개선됐다.

파운드리(반도체 위탁생산)사업부는 고객사 재고 조정과 글로벌 경기 회복이 지연되면서 시장 수요가 감소해 실적 부진이 지속됐으나 2023년 연간 최대 수주 실적을 달성했다.

3나노미터(1nm=10억분의1m) 및 2나노 게이트올어라운드(GAA) 기술을 지속 개발하고 첨단 공정 기반 사업을 확장해 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 판매 비중 및 신규 수주가 증가했다.

4·분기 시설투자는 16조4000억원을 기록했다. 사업별로는 DS 14조9000억원, 디스플레이 8000억원 수준이다. 연간으로는 지난해와 동일한 수준인 53조1000억원이 집행됐다. DS에 91.1%에 달하는 48조4000억원이 쓰였고, 디스플레이에도 2조4000억원이 투입됐다.

삼성전자는 메모리의 경우 4·4분기에도 중장기 수요 대응을 위한 클린룸 확보 목적의 평택 투자, 기술 리더십 강화를 위한 연구개발(R&D) 투자 확대와 함께 HBM·DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대를 위한 투자를 지속했다고 설명했다.

파운드리는 극자외선(EUV)을 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 전년 대비 연간 투자가 증가했다.

디스플레이는 유기발광다이오드(OLED) 및 플렉시블 제품 대응 중심으로 투자가 집행됐다.

삼성전자 측은 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침"이라고 전했다.
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mkchang@fnnews.com 장민권 기자