[특징주] 레이저쎌, 삼성전자 '꿈의 메모리' 3D D램 개발 소식에 독자개발 면광원 레이저기술 부각

삼성전자가 향후 글로벌 D램 시장 판도를 뒤흔들 게임체인저로 불리는 '꿈의 메모리' 3D D램 시장 선점을 위해 차세대 메모리 연구개발(R&D) 조직을 신설했다는 소식에 레이저쎌 주가가 강세다. 레이제쎌은 자체 개발한 'LC본더'를 비롯해 다양한 면레이저 기반 'LSR 시리즈' 반도체 장비를 생산하고 있는 점이 부각되는 것으로 풀이된다.

29일 오전 9시58분 기준 레이저쎌 주가는 전일 대비 950원(9.91%) 오른 1만540원에 거래되고 있다.

머니투데이 보도에 따르면 삼성전자 DS(반도체)부문은 최근 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-Dram Path Finding' 조직을 만들었다.

반도체연구소 산하 조직으로 송재혁 삼성전자 DS 부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장이 직접 이끈다. 이 조직은 3D D램 선제 연구에 초점을 맞춘다.

삼성전자는 3D D램에 승부수를 걸었다. 이정배 메모리사업부 사장은 지난해 10월 실리콘밸리에서 '메모리 테크 데이'를 열고 "10나노미터(nm·1nm=10억분의 1m) 이하 D램에 3D 수직 신구조를 가장 먼저 도입하겠다"고 밝혔다.

현재 D램은 단일 평면에 데이터 저장 기본단위인 셀을 촘촘히 배치한 2D 구조다. 셀의 회로 선폭이 좁으면 좁을수록, 즉 집적도가 높을수록 성능과 효율이 좋다. 새로운 구조와 소재를 도입하며 셀 크기를 줄여가는 방향으로 발전해왔지만 공정 선폭이 줄면서 한정된 면적에 셀을 최대한 밀집하는 미세화공정도 한계에 직면했다.

이에 메모리반도체 기업들은 트랜지스터를 수직으로 다층 적층하는 3D 방식이 D램 패러다임을 바꿀 것이라 보고 기술 선점에 열을 올리고 있다. 업계는 기술 구현이 어려운 3D D램을 가장 먼저 개발·양산하는 기업이 차세대 D램 시장 승기를 잡을 것으로 보고 있다.

레이저쎌이 독자 개발한 첨단반도체 장비인 LC본더와 LSR시리즈는 첨단 AI 반도체 핵심기술인 '칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트'(CoWoS) 패키징 공정에 최적화된 면레이저 장비로 평가받고 있다.

CoWoS 패키징은 여러 개의 메모리 반도체와 로직반도체를 실리콘 기반 '인터포저'라는 서브스트레이트 판 위에 초미세·초정밀로 본딩하는 방식을 채용한다. 기술의 핵심은 인터포저 위에 메모리반도체와 로직반도체를 평면으로 정렬하기도 하고 수직으로 쌓는 것이다.

2D와 3D가 합쳐진 형태라 '2.5D 패키징' 이라고도 알려져 있어 삼성전자의 이번 3D D램 R&D 조직 신설에 따라 시장의 관심이 몰리고 있다.

이지운 기자 lee1019@mt.co.kr
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