삼성전자, 美 실리콘밸리에 '3D D램' R&D 조직 신설

삼성전자 반도체 미주총괄(DSA) 전경. 〈사진 삼성전자 뉴스룸〉

삼성전자가 3차원(3D) D램 개발에 주력할 메모리 연구개발(R&D) 조직을 만들어 미래 반도체 시장에서 차별화된 기술 경쟁력 확보에 나섰다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발 조직을 만들었다.

이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발하는 역할을 맡는다. 실리콘밸리 우수 인력을 적극 영입하고 다양한 반도체 생태계와 협력한다는 구상이다.

현재 D램은 평평한 면에 수백 억 개의 기억 소자를 배열하는 2D 구조다. 3D D램은 칩 안에 있는 기억 소자를 아파트처럼 세로로 쌓는 개념이다. 낸드플래시가 3D 적층으로 발전한 것과 같은 개념이다.

트랜지스터를 수직으로 적층한다면 회로 축소 부담을 덜 수 있을 뿐만 아니라 용량을 크게 늘릴 수 있어 메모리 업계가 기술 선점을 위해 전력을 기울이고 있다.

셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리는 방식, 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬 방식 등 다양한 방식이 연구 중이다.

삼성전자는 지난해 '메모리 테크데이' 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 계획을 밝힌 바 있다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 극복하고 성능도 향상해 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(GB) 이상 늘린다는 계획이다.

김영호 기자 lloydmind@etnews.com