"꿈의 3D D램 만든다"... 삼성전자, 실리콘밸리에 R&D 조직 신설

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 미국 실리콘밸리에 차세대 3D D램 연구 개발 조직을 신설하고 초격차 기술 경쟁력 제고에 나섰다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발(R&D) 조직을 신설했다. 3D D램을 선제적으로 연구·개발하는 조직으로, 실리콘밸리 우수 인력 영입을 통해 반도체 생태계와 협력에 나선다는 계획이다.

3D D램은 셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리는 방식이다. 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬 방식 등 업계에서는 기술 선점에 사활을 걸고 있다.

현재 단일 평면에 셀을 촘촘히 배치하는 2D 구조의 기존 D램에 비해 집적도를 높여 더 뛰어난 성능을 보이는 것이 특징이다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점한다는 계획이다.

작년 10월 열린 '삼성전자 메모리 테크 데이 2023'에서는 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 계획을 밝히기도 했다.

칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 극복하고 성능도 향상해 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(Gb) 이상 늘린다는 계획이다.

한편, 삼성전자는 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서도 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표하면서 3D D램의 실제 반도체로 구현한 상세한 이미지를 제시한 바 있다.
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hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

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