SK하이닉스, 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진

[컨콜] 선단 공정 전환…"팹 활용 기간 최대한 연장할 것"

(지디넷코리아=장경윤 기자)SK하이닉스가 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 1a 나노미터(nm)로 전환하는 방안을 추진한다.

SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "우시 팹은 궁극적으로 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다.

SK하이닉스 이천 캠퍼스(사진=SK하이닉스)

1a D램은 4세대 10나노급 D램으로, 비교적 선단 공정에 속하는 D램이다. SK하이닉스는 1a D램부터 일부 레이어에 첨단 반도체 제조기술인 EUV(극자외선) 공정을 적용하고 있다.

SK하이닉스의 우시 공장은 1a D램에 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 주력 생산하고 있다. 선단 공정으로의 전환이 필요한 시점이지만, 미국 정부는 지난 2022년 10월부터 중국에 18나노 공정 이하 D램 제조를 위한 첨단 장비 기술 수출을 금지하고 있다. EUV 장비 역시 2019년부터 중국 수출이 불가능하다.

다만 SK하이닉스는 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)’로 지정됐다. EUV 장비는 여전히 반입할 수 없으나, EUV 공정만 국내에서 처리하는 등의 대안을 선택할 수 있다.

SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하고, 중국 우시 팹도 1a 전환을 추진할 것"이라고 밝혔다.

장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)