과기부, 반도체·배터리·슈퍼컴 등 ICT R&D에 1천324억 투자(종합)

과학기술정보통신부 [과학기술정보통신부 제공]

(서울=연합뉴스) 조승한 기자 = 과학기술정보통신부는 미래 국가 경쟁력을 좌우할 첨단전략기술인 반도체, 디스플레이, 이차전지, 초고성능컴퓨팅, 초전도 분야 연구개발에 올해 1천324억원을 투자한다고 18일 밝혔다.

과기정통부는 이런 내용의 '2023년도 ICT 원천연구개발사업 시행계획'을 이날 확정했다.

올해 투자 규모는 작년 1천557억원에 비해 15% 줄어들었다.

다만 이는 양자컴퓨터 사업이 ICT 원천연구 분류에서 빠진 데 따른 것으로 양자컴퓨터를 제외한 지난해 예산 1천212억원과 비교하면 9.2% 늘어난 것이라고 과기정통부는 설명했다.

[그래픽] 2024년 정보통신기술(ICT) 연구개발(R&D) 투자 계획 (서울=연합뉴스) 김민지 기자 = minfo@yna.co.kr 트위터 @yonhap_graphics 페이스북 tuney.kr/LeYN1

분야별로는 반도체 분야에 839억원을 투자해 지능형반도체, PIM반도체, 화합물반도체 등 차세대 유망분야 기술을 개발하고 전문인력 양성도 지원한다.

올해는 미국과 유럽연합(EU) 중심 국제공동연구, 연구자포럼, R&D 협력센터를 새로 추진하고, 첨단패키징 및 미세기판 관련 원천기술개발사업, 차세대 장비 원천기술개발사업, 첨단 패키징 특화 석·박사급 인력양성 사업에 착수한다.

디스플레이 분야는 64억원을 투자해 미래 디스플레이 전략연구실 지원사업, 실리콘 웨이퍼 기판 초고해상도 디스플레이 핵심기술 개발사업 2개를 새로 시작한다.

이차전지 분야는 69억원을 투입해 차세대이차전지 핵심원천기술개발, 미국 아르곤국립연구소와 국제협력, 전문인력 양성 등 3개 사업을 새로 추진한다.

초고성능 컴퓨팅 분야는 280억원을 투입하며 현재 지연되고 있는 세계 10위권 수준 슈퍼컴퓨터 인프라 도입을 추진한다.

초전도체 분야는 72억원을 들여 무절연 고온초전도 기반기술, 4대 형상별 자석 설계안 확보 등에 나선다.

shjo@yna.co.kr

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