과기부, ICT R&D에 1,324억 투자…전년 대비 15%↓

김지성 기자 2024. 1. 18. 14:48
자동요약 기사 제목과 주요 문장을 기반으로 자동요약한 결과입니다.
전체 맥락을 이해하기 위해서는 본문 보기를 권장합니다.

과학기술정보통신부는 첨단 전략 기술인 반도체, 디스플레이, 이차전지, 초고성능컴퓨팅, 초전도 분야 연구개발에 올해 1,324억 원을 투자한다고 밝혔습니다.

디스플레이 분야는 64억 원을 투자해 미래 디스플레이 전략연구실 지원사업, 실리콘 웨이퍼 기판 초고해상도 디스플레이 핵심기술 개발사업을 새로 시작합니다.

음성재생 설정
번역beta Translated by kaka i
글자크기 설정 파란원을 좌우로 움직이시면 글자크기가 변경 됩니다.

이 글자크기로 변경됩니다.

(예시) 가장 빠른 뉴스가 있고 다양한 정보, 쌍방향 소통이 숨쉬는 다음뉴스를 만나보세요. 다음뉴스는 국내외 주요이슈와 실시간 속보, 문화생활 및 다양한 분야의 뉴스를 입체적으로 전달하고 있습니다.


과학기술정보통신부는 첨단 전략 기술인 반도체, 디스플레이, 이차전지, 초고성능컴퓨팅, 초전도 분야 연구개발에 올해 1,324억 원을 투자한다고 밝혔습니다.

이는 지난해에 비해 15% 줄어든 규모입니다.

과기정통부가 확정한 'ICT 원천 연구 개발 사업 시행계획'에 따르면, 반도체 분야에 839억 원을 투자해 지능형반도체, PIM반도체, 화합물반도체 등 차세대 유망 분야 기술을 개발하고 전문인력 양성을 지원합니다.

디스플레이 분야는 64억 원을 투자해 미래 디스플레이 전략연구실 지원사업, 실리콘 웨이퍼 기판 초고해상도 디스플레이 핵심기술 개발사업을 새로 시작합니다.

이차전지 분야는 69억 원을 투입해 차세대 이차전지 핵심 원천 기술 개발, 미국 아르곤국립연구소와 국제협력, 전문인력 양성 등을 추진합니다.

초고성능 컴퓨팅 분야는 280억 원을 투입해 세계 10위권 수준 슈퍼컴퓨터 인프라 도입을 추진하고, 초전도체 분야는 72억 원을 들여 무절연 고온초전도 기반기술, 4대 형상별 자석 설계안 확보 등에 나섭니다.

(사진=과학기술정보통신부 제공, 연합뉴스)

김지성 기자 jisung@sbs.co.kr

Copyright © Copyright ⓒ SBS. All rights reserved. 무단 전재, 재배포 및 AI학습 이용 금지

이 기사에 대해 어떻게 생각하시나요?