‘반도체 기술 中 유출 의혹’ 전직 삼성전자 연구원, 구속영장 기각

법원 “구속 필요성 인정된다고 보기 어려워”

반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의을 받는 삼성전자 전 수석연구원 A씨가 16일 오전 서울 서초구 서울중앙지방법원에서 열린 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)을 마친 뒤 법원을 떠나고 있다./연합뉴스

법원이 D램 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 연구원에 대한 구속영장을 기각했다. 그는 지난 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노급 D램 기술 공정도 약 700개를 중국 반도체 업체 ‘청두가오전’에 넘긴 혐의를 받는다.

서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 16일 오전 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속영장이 청구된 전직 삼성전자 수석연구원 오모씨에 대한 ‘구속 전 피의자심문’(영장실질심사)를 진행한 뒤 오후 9시 11분쯤 구속영장을 기각했다.

이 부장판사는 “범행에 대해 사실적, 법리적 측면에서 다투고 있고, 현재까지 진행된 수사 진행 상황 등에 비춰 볼 때 피의자에게 방어권을 보장해 줄 필요가 있다고 보인다”고 밝혔다. 이어 “피의자가 별다른 범죄 전력이 없고, 주거가 일정하며 수사기관의 수사와 소환에 성실히 응했다”며 “관련 증거들도 상당수 확보됐고, 피의자의 심문 태도 등을 고려할 때 현 단계에서 구속 필요성 및 상당성이 인정된다고 보기 어렵다”고 설명했다.

오씨는 이날 낮 12시 10분쯤 영장실질심사를 마치고 “중국으로 기술을 유출한 혐의를 인정하느냐”, “기술 유출의 대가로 얼마를 받았느냐” 등 취재진 질문에 입을 다문 채 법원을 떠났다.

서울경찰청 안보수사대는 오씨가 700여개의 반도체 제작 과정이 담긴 기술 공정도를 유출한 것으로 보고 수사를 진행했다. 지난해 9월 경찰은 오씨의 자택을 압수수색 하는 과정에서 해당 공정도를 발견한 것으로 알려졌다.

경찰은 오씨로부터 18나노급 D램 관련 공정 설계 자료 일부를 압수해 영장실질심사 재판부에 제출했다. 코드명 ‘파스칼’로도 불리는 이 기술은 20나노급 D램의 상위 기술로 분류된다. 경찰이 입수한 청두가오전 20나노급 반도체 완제품엔 18나노급 생산 기술도 일부 포함된 것으로 전해졌다.

경찰은 오씨로부터 16나노급 D램에 대한 개발 계획이 담긴 서류도 확보해 재판부에 제출한 상태다. 다만 오씨는 “자료를 유출한 것이 아니라 기억에 의존해 기술도의 초안을 작성했고, 다른 엔지니어들도 함께 작성에 참여했다”는 입장인 것으로 알려졌다.

청두가오전은 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장을 지낸 최모씨가 지난 2021년 중국 청두시로부터 거액을 투자받고 설립한 업체다. 경찰은 청두가오전 삼성전자·SK하이닉스 출신 인력 200여명을 영입한 이유로 기술 유출 목적이 있었다고 판단하고 있다.

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