경찰, 'D램 기술 中유출 혐의' 삼성전자 전 연구원 구속영장 신청

300mm 웨이퍼 자료사진./사진=뉴스1

삼성전자의 D램 제조 기술을 중국 기업에 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원에 대해 경찰이 구속영장을 신청했다.

15일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 코드명 '볼츠만'을 중국의 반도체 업체 '청두가오전'에 넘긴 혐의(산업기술보호법 위반)를 받는 삼성전자 연구원 A씨에 대해 구속영장을 신청했다.

A씨는 유출 의혹을 받는 기술의 공정도를 직접 만든 것이라 주장하지만 경찰은 해당 공정도를 삼성전자 기술로 판단하고 있다.

청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최모씨가 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 세운 회사다. A씨는 청두가오전의 임원이다.

경찰은 또 청두가오전이 정부 기관 출신 고위관계자들을 동원해 200명에 달하는 삼성전자와 SK하이닉스 인력을 기술 유출을 목적으로 영입해 간 정황을 포착해 수사를 진행 중이다.

A씨의 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)은 오는 16일 서울중앙지법에서 열린다.

정세진 기자 sejin@mt.co.kr