‘반도체 기술 中유출’ 삼성전자 전 수석연구원 구속영장

2024. 1. 15. 22:12
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경찰이 삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 수석연구원에 대해 구속영장을 신청했다.

서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의를 받는 전 연구원 A씨에 대해 구속영장을 신청했다고 15일 밝혔다.

경찰에 따르면 A씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다.

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삼성전자 독자 개발한 반도체 기술 중국에 유출
경찰, 산업기술보호법 위반 혐의로 구속영장 신청
[123RF]

[헤럴드경제=안효정 기자] 경찰이 삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 수석연구원에 대해 구속영장을 신청했다.

서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의를 받는 전 연구원 A씨에 대해 구속영장을 신청했다고 15일 밝혔다.

경찰에 따르면 A씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다.

경찰은 지난해 현직 청두가오전 임원인 A씨의 자택을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견해 수사해온 것으로 알려졌다.

경찰은 반도체 기술인력의 대규모 중국 유출 정황도 포착해 수사 중이다.

경찰은 지난해 10월 청두가오전 의뢰로 삼성전자와 SK하이닉스의 임직원들을 대거 빼내 중국 측으로 옮겨가는 데 가담한 혐의를 받는 컨설팅 업체와 헤드헌팅 업체 10여 곳을 압수수색했다.

A씨의 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)은 16일 오전 10시 30분 서울중앙지법에서 열린다.

an@heraldcorp.com

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