'반도체 기술 중국 유출' 혐의 삼성전자 전 연구원 구속 기로
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삼성전자가 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 수석연구원에 대해 경찰이 구속영장을 신청했다.
15일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의로 삼성전자 전직 수석연구원 A씨의 구속영장을 신청했다.
A씨는 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여 개를 무단으로 유출해 중국 기업 청두가오전에 넘긴 혐의를 받고 있다.
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삼성전자가 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 수석연구원에 대해 경찰이 구속영장을 신청했다.
15일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의로 삼성전자 전직 수석연구원 A씨의 구속영장을 신청했다. A씨의 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)은 16일 오전 서울중앙지법에서 열릴 예정이다.
A씨는 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여 개를 무단으로 유출해 중국 기업 청두가오전에 넘긴 혐의를 받고 있다. 경찰은 현재 청두가오전 임원을 맡고 있는 A씨 자택을 압수수색하는 과정에서 공정도를 발견하고 수사를 해온 것으로 전해졌다.
청두가오전은 삼성전자 임원과 하이닉스 부사장을 지낸 B씨가 2021년 중국 청두시로부터 4,600억 원을 투자 받아 설립한 회사로 알려졌다. 경찰은 앞서 지난해 10월 이 회사와 관련한 반도체 기술과 인력 유출 정황을 포착하고 헤드헌팅 업체 등을 압수수색하는 등 강제 수사에 나섰다.
이환직 기자 slamhj@hankookilbo.com
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