삼성 반도체 기술 중국 유출… 전 수석연구원 구속영장

홍아름 기자 2024. 1. 15. 22:06
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서울경찰청 안보수사대가 15일 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 삼성전자 수석연구원에 대해 구속영장을 신청했다고 밝혔다.

15일 경찰에 따르면 A씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 약 700개를 무단 유출해 중국 기업인 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 해 산업기술보호법을 위반한 혐의를 받고 있다.

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삼성전자./뉴스1

서울경찰청 안보수사대가 15일 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 삼성전자 수석연구원에 대해 구속영장을 신청했다고 밝혔다.

15일 경찰에 따르면 A씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 약 700개를 무단 유출해 중국 기업인 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 해 산업기술보호법을 위반한 혐의를 받고 있다.

경찰은 지난해 청두가오전의 현직 임원인 A씨의 자택을 압수수색 하는 과정에서 공정도를 발견해 수사해 온 것으로 알려졌다. A씨의 영장실질심사는 오는 16일 오전 10시 30분 서울중앙지법에서 열릴 예정이다.

한편 경찰은 반도체 기술 인력이 대규모 중국으로 유출된 정황도 수사 중이다. 지난해 10월에는 청두가오전의 의뢰로 삼성전자와 SK하이닉스의 임직원들을 중국으로 유출한 컨설팅 업체와 헤드헌팅 업체 10여 곳을 압수수색했다.

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