삼성 핵심기술 빼돌린 전 수석연구원…구속영장 신청

삼성 독자 개발 D램 공정도 700여개 무단 유출 혐의

삼성 서초사옥. 사진=임대철 한경디지털랩 기자

경찰은 삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 수석연구원에 대해 구속영장을 신청했다고 15일 밝혔다.

경찰에 따르면 전 연구원 A씨는 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반)를 받는다.

지난해 경찰은 현직 청두가오전 임원인 A씨의 자택을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견해 수사해온 것으로 알려졌다.

경찰은 또 반도체 기술인력의 대규모 중국 유출 정황도 포착해 수사하고 있다. 경찰은 지난해 10월 청두가오전 의뢰로 삼성전자와 SK하이닉스의 임직원들을 대거 빼내 중국 측으로 옮겨가는 데 가담한 혐의를 받는 컨설팅 업체와 헤드헌팅 업체 10여 곳을 압수수색했다.

A씨의 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)은 오는 16일 오전 10시30분께 서울중앙지법에서 열린다.

조아라 한경닷컴 기자 rrang123@hankyung.com