삼성전자 독자 개발 반도체 기술 유출한 전직 연구원에 구속영장

경찰, "A씨 20나노급 D램 기술 中 반도체 업체에 넘겨"
국내 반도체 업체 임직원 200여명 중국 업체로
상당수 회사 자료 빼간 혐의로 입건

[이데일리 김경은 기자] 경찰이 삼성전자가 독자 개발한 반도체 기술을 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원에 대해 구속영장을 신청했다.

사진=뉴시스

15일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의를 받는 A씨에 대해 구속영장을 신청했다. 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술을 중국 반도체 업체 ‘청두가오전’에 넘긴 혐의다.

경찰은 A씨가 700여개의 반도체 제작 과정이 담긴 기술 공정도를 유출한 것으로 의심하고 있다.

경찰은 지난해 9월말 A씨의 자택을 압수수색 하는 과정에서 해당 공정도를 발견한 것으로 전해졌다.

청두가오전은 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장을 지낸 최모씨가 지난 2021년 중국 청두시로부터 거액을 투자받고 설립한 업체로, A씨는 해당 업체의 핵심 임원인 것으로 알려졌다.

경찰은 수사하는 과정에서 18나노 D램의 기술도 중국에 유출된 정황을 포착해 최씨와 A씨가 관여했는지도 들여다보고 있다.

A씨에 대한 구속 전 피의자심문(영장실질심사)은 16일 서울중앙지법에서 진행된다.

한편 경찰은 청두가오전이 기술 유출을 목적으로 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업체의 임직원을 빼돌렸다고 의심하고 이에 대해서도 수사 중이다.

경찰은 지난해 10월 컨설팅 업체 3곳과 헤드헌팅 업체 2곳을 압수수색했는데 해당 업체들을 통해 국내 반도체 업체 임직원 200여명이 넘어간 것으로 파악됐다. 이들 가운데 회사의 자료를 빼간 것으로 의심되는 임직원 상당수가 입건된 가운데 개개인에 대한 혐의를 조사하고 있는 만큼 입건 수는 늘어날 수 있는 상황이다.

김경은 (ocami81@edaily.co.kr)