경찰, 삼성전자 반도체 기술 중국으로 유출한 전직 연구원 구속 영장 신청

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서울경찰청 산업기술안보수사대는 반도체 기술을 중국 기업에 유출한 혐의로 전직 삼성전자 연구원인 50대 남성에 대해 구속 영장을 신청했습니다.

이 남성은 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술과 관련해, 반도체 제작 과정 700여 개가 담긴 기술 공정도를 유출한 혐의를 받고 있습니다.

지난해 이 남성의 집을 압수수색한 경찰은, 집 안에서 해당 공정도를 발견한 것으로 전해졌습니다.

해당 남성은 삼성전자 임원과 하이닉스 부사장을 지냈던 60대 남성이 중국 청두시로부터 투자를 받아 세운 회사의 임원으로 일하고 있는 것으로 파악됐습니다.

이 남성의 구속영장 실질심사는 내일 서울중앙지법에서 열릴 예정입니다.

송정훈 기자(junghun@mbc.co.kr)

기사 원문 - https://imnews.imbc.com/news/2024/society/article/6562738_36438.html

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