[단독] SK하이닉스 中공장, 10나노급 4세대 D램 생산한다

◆韓서 EUV 적용후 中서 마무리···우시라인 공정전환 추진
10년전 화재 극복방법 다시 꺼내
D램 시장 회복세 발맞춰 총력전

[서울경제]

SK하이닉스가 중국에 대한 미국의 극자외선(EUV) 반도체 규제 속에 우시 공장의 공정 전환을 추진한다. D램 시장 회복세에 대응하기 위해 쓸 수 있는 모든 방법을 동원해 공정 전환에 나선 것으로 풀이된다.

12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 연내 중국 우시 공장의 일부인 ‘C2’ 팹을 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 초반의 4세대(1a) D램 공정으로 전환하는 계획을 세웠다.

우시 공장은 SK하이닉스 전체 D램의 약 40%를 만드는 회사의 핵심 생산 기지다. 현재 이곳에서는 구형(레거시) 제품군에 속하는 10나노급 후반의 2세대(1y), 3세대(1z) D램 등을 제조하고 있다.

그동안 SK하이닉스는 우시 공장을 10㎚급 4세대 D램 이상의 공정으로 전환하기가 쉽지 않았다. 미국의 대중(對中) EUV 규제 때문이다. 미국은 2019년부터 중국 땅에 첨단 반도체 공정을 위한 필수 장비인 ASML의 EUV 노광기 반입을 불허했다. 중국 정부의 ‘반도체 굴기’ 움직임을 압박하려는 목적이다.

SK하이닉스는 이 규제에 적잖은 영향을 받았다. 회사는 10㎚급 4세대 D램 생산부터 EUV 공정을 적용했는데 우시에는 EUV 노광기를 반입할 수 없어 규제 범위 내에서 이 D램을 생산해낼 수 없는 상황에 직면했다. 물론 SK하이닉스는 지난해 미국 정부의 ‘검증된 최종 사용자(VEU)’ 지정으로 중국 공장에도 18㎚ 이하 D램 제조용 장비를 들여올 수 있게 됐다. 다만 이러한 조치에서도 EUV 장비 반입은 허용되지 않았다.

SK하이닉스가 공정 전환을 결정하면서 선택한 방법은 ‘운송’이다. 우시 라인에서 4세대 D램 공정의 일부를 진행하고 이 웨이퍼를 본사가 있는 이천캠퍼스로 가져와 EUV를 적용한 뒤 다시 우시로 보내 공정을 마무리하는 방식이다. 4세대 제품에는 1개 D램 층에만 EUV 공정을 적용하기 때문에 비용 증가를 감당할 만한 수준이라는 판단을 내린 것으로 보인다. 또 회사는 2013년 우시 공장 화재 당시 이 같은 방법으로 D램 생산 차질 문제를 극복한 경험이 있다.

SK하이닉스 측은 우시 공장의 공정 전환과 관련해 “회사의 구체적인 공장 운영 계획을 확인할 수 없다”고 밝혔다.

강해령 기자 hr@sedaily.com