삼성 "HBM 설비투자 2.5배 확대···주도권 가져올 것"

◆ 한진만 미주총괄 부사장
"CXL 등 포스트 HBM 시장 준비"

한진만 삼성전자 미주총괄(DSA) 부사장이 11일(현지시각) 미국 라스베이거스의 한 호텔에서 기자들과 만나 발언하고 있다. 사진제공=삼성전자

[서울경제]

한진만 삼성전자 미주총괄(DSA) 부사장이 “올해 고대역폭메모리(HBM)에 대한 설비투자를 지난해보다 2.5배 이상 늘릴 계획”이라며 “지난해 경쟁사들이 투자를 줄이는 기간에도 삼성은 투자를 유지해왔고 그 격차가 올해부터 본격화할 것”이라고 말했다.

한 부사장은 11일(현지 시간) CES 2024가 열리고 있는 미국 라스베이거스의 한 호텔에 마련된 반도체 전시장에서 기자들과 만나 “삼성전자의 HBM 경쟁력이 점점 향상될 것”이라며 이같이 밝혔다. 삼성전자가 언론에 반도체 전시장을 공개한 것은 이번이 처음이다.

그는 “현재 인공지능(AI) 가속기와 서버 등의 수요가 지속적으로 늘어나고 있는 상황에서 충분한 투자를 이미 완료한 삼성전자의 수요 대응 능력이 점점 더 힘을 발휘할 것”이라며 “AI 가속기가 요구하는 메모리 성능이 점점 늘어나면서 지금은 HBM이 각광받고 있지만 앞으로는 저전력 소형 D램(LPDDR)이나 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 등 차세대 메모리가 더 주목받게 될 것”이라고 내다봤다. 이미 고객사들 사이에서 새로운 메모리 아키텍처(설계)에 대한 요구가 나오고 있어 2~3년 내에는 고객들의 수요를 맞출 수 있는 다른 형태의 시장이 열릴 것이라는 게 그의 예측이다.

한 부사장은 또한 올해 반도체 시장 전망에 대해 “어떤 블랙스완(아무도 예상하지 못했지만 일단 발생하면 큰 위기가 발생하는 사건)이 나타날지 예측할 수 없지만 이런 변수만 없다면 올해 반도체 시장은 반등할 것으로 보고 있다”며 “중국 스마트폰 시장에서 반등 신호가 나타나고 있고 ‘온디바이스 AI’ 컴퓨터들도 서서히 출하되는 등 반도체 전반에서 수요가 살아나고 있는 모습”이라고 진단했다.

미국 텍사스의 테일러 파운드리(반도체 위탁 생산) 공장은 현재 건설이 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 그는 다만 “고객들의 수요와 보조금을 둘러싼 미국 정부와의 협상 등이 진행되고 있어 양산 시기는 아직 확정할 수 없는 단계”라고 말했다. 한 부사장은 “삼성전자는 메모리 기술 분야 리더십과 성장하는 파운드리 사업으로 반도체의 미래를 주도할 수 있는 역량을 한 지붕 아래에서 갖춘 유일한 회사”라며 “전 세계 유수 기업들의 최고경영자들도 삼성의 경쟁력을 모두 인정하고 있다”고 거듭 강조했다.

서일범 기자 squiz@sedaily.com