[CES 2024]삼성전자, AI서버·온디바이스 AI 주도할 차세대 반도체 대거 공개

삼성전자가 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 진행되고 있는 'CES 2024'에서 인공지능(AI) 시대를 선도할 차세대 반도체 라인업을 대거 선보였다. 삼성전자 DS부문은 매년 CES에 참가해 글로벌 IT 고객 및 파트너들에게 최신 제품을 소개하고, 한 해 반도체 업계 기술 트렌드를 논의해 오고있다.

라스베이거스 앙코르 호텔내 별도로 마련한 전시공간에 가상 반도체 팹(Virtual FAB)을 설치하고, 5개 주요 응용처별(서버, PC/그래픽, 모바일, 오토모티브 라이프스타일)로 구성한 솔루션 공간을 국내 미디어에 공개했다. 삼성전자가 CES에서 국내외 미디어에 DS부문 전시관을 공개한 것은 이번이 처음이다.

미국 라스베이거스 CES 2024 삼성전자 DS부문 반도체 전시관 전경.

생성형 AI, 온디바이스 AI용 D램, 차세대 스토리지용 낸드플래시 솔루션, 2.5/3차원 패키지 기술 등 차세대 메모리 제품을 대거 전시하고 패키지 기술 등 차세대 기술을 대거 선보이며 기술 경쟁력을 강조했다.

지난해 9월 업계 최초로 개발한 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램도 이번 전시에서 소개됐다. 서버용 고용량 라인업으로 동일 패키지 사이즈에서 실리콘 관통 전극(이하 TSV) 기술 없이도 128기가바이트(GB) 고용량 모듈 구성이 가능하다. 함께 소개된 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'는 기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐다. CXL 인터페이스 기반 D램 모듈도 AI서버 시장을 타겟으로 한 제품으로 소개됐다. 이와 함께 전력, 공간, 성능의 한계를 극복할 핵심 낸드플래시 솔루션 △PM9D3a △PBSSD(Petabyte Scale SSD) 등을 전시했다.

온디바이스 AI 부문에선 △LPDDR5X D램 △LPDDR5X-PIM △LLW D램 등을 중심으로 시장을 주도하겠다는 계획을 밝혔다. 초당 8.5기가비트를 지원하는 LPDDR5X D램은 14나노미터 공정과 하이케이 메탈 게이트 공정을 활용해 이전 세대 대비 전력 효율을 20% 개선했다. LPDDR5X-PIM은 메모리 칩 내부에 데이터 연산 기능을 구현하는 PIM 기술을 LPDDR에 적용한 제품이다. LLW D램은 초당 128기가바이트의 빠른 처리 속도와 28나노초 이하의 지연속도를 과시했다.

삼성전자 AVP 사업팀은 △2.5차원 패키지 I-Cube E, I-Cube S △3차원 패키지 X-Cube HCB(bumpless), TCB(micro bump) 기술 및 제품을 선보였다.

2.5차원 패키지 I-Cube는 인공지능 반도체에 많이 쓰이는 중앙처리장치(CPU) 또는 그래픽처리장치(GPU) 간의 칩렛(Chiplet) 연결이나 AI 가속기와 고대역폭메모리(HBM)를 수평으로 배치해 하나의 반도체처럼 동작하는 이종집적화 패키지 기술이다.

X-Cube는 웨이퍼 상태의 복수의 반도체를 위로 얇게 적층하는 기술이다. 서로 다른 반도체를 수직으로 적층해 기존 패키지에 비해 인터커넥트 와이어의 길이를 줄여 성능을 높이고, 반도체 패키지의 크기를 줄일 수 있다.

한진만 부사장 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA)은 “AI, 머신러닝(ML), 클라우드 컴퓨팅 시장이 급격히 성장하고 있다”며 “삼성전자는 AI 시대에 최적화된 다양한 최첨단 메모리 솔루션을 적기에 개발해 패러다임 변화를 주도해 나가겠다”고 밝혔다.

11일(현지시간) 미국 라스베이거스 CES 2024 현장에서 진행된 국내 기자단 DS부문 반도체 전시관 투어 중 환영사를 하고 있는 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 한진만 부사장

조정형 기자 jenie@etnews.com