배용철 삼성전자 부사장 "AI 시대 응용처별 최적 솔루션으로 업계 선도할 것"

CES서 AI용 최첨단 메모리 솔루션 대거 공개…"맞춤형 HBM, 메모리 돌파구 역할"

[아이뉴스24 권용삼 기자] 전 세계적인 인공지능(AI) 열풍 속 삼성전자가 초거대 AI 시장을 대응하기 위해 응용처별 요구 사항에 기반한 다양한 메모리 포트폴리오를 확대하며 기술 리더십 확보에 나선다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장. [사진=삼성전자]

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 8일 자사 뉴스룸에 올린 'AI 시대, 최적 메모리 솔루션으로 미래 기술을 그리다'라는 주제의 기고문에서 "삼성전자는 'CES 2024'에서 AI용 최첨단 메모리 솔루션을 대거 공개하고, 업계 리더로서 압도적인 기술력을 선보일 계획"이라고 밝혔다. 이어 배 부사장은 "삼성전자는 AI 시장 대응을 위해 더블데이터레이트(DDR)5와 고대역폭메모리(HBM), CMM(CXL 메모리 모듈) 등 응용별 요구 사항에 기반한 메모리 포트폴리오를 시장에 제시하고 공급 중"이라고 말했다.

아울러 배 부사장은 "AI는 클라우드에서 처음 시작됐지만 다른 응용과 플랫폼으로 확산하고 있다"며 "보안과 응답성 등을 고려해 스마트폰, 컴퓨터, 자동차 등에서 온디바이스 AI 구현이 필요한 상황으로, 충분한 컴퓨팅과 메모리를 탑재하기 위한 기술적 검토가 적극 진행되고 있다"고 전했다. 그러면서 배 부사장은 AI 기술 혁신을 이끌 클라우드용 솔루션으로 △HBM3E 샤인볼트 △32Gb DDR5 D램 △MRDIMM △PCIe Gen5 SSD 'PM9D3a'를, 고성능·저전력 온디바이스 AI용 솔루션으로 △LPDDR5X D램 △LPDDR5X CAMM2 △LLW D램 △PCIe Gen5 SSD 'PM9E1'을, 차량용 솔루션으로 △Detachable AutoSSD 등을 제시했다.

이와 함께 배 부사장은 삼성전자가 메모리 패러다임 변화를 이끌어 갈 기술로 △맞춤형 HBM D램 △대역폭과 용량을 확장할 수 있는 CMM D램 △지능형 반도체(PIM) △솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 구독 서비스 등을 꼽았다.

배 부사장은 맞춤형 HBM D램과 관련해 "AI 플랫폼의 성장으로 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있다"며 "맞춤형 HBM D램이 향후 메모리 반도체 기술 한계 극복을 위한 돌파구 역할을 할 것"이라고 내다봤다. 그는 "고객들의 개별 요구에 대응하기 위해 차세대 HBM4부터 버퍼 다이에 선단 로직 공정을 활용할 예정"이라며 "삼성전자가 보유한 메모리와 파운드리, 시스템 LSI 등 종합 역량과 차세대 D램 공정과 패키지 기술로 새로운 시장 변화에 맞춰 최적의 솔루션을 제공할 것"이라고 강조했다.

앞서 삼성전자는 지난해 연말 조직개편에서 메모리사업부에 컨트롤 타워 역할을 할 메모리 상품기획실을 신설한 바 있다. 배 부사장은 "상품기획실은 '비즈니스 코디네이터 전문가 조직'을 표방하고, 제품 기획부터 사업화 단계까지 전 영역을 담당하며 고객 기술 대응 부서들을 하나로 통합해 만든 조직"이라고 소개했다. 이어 "대내외 컨트롤 타워 역할을 수행할 예정이며, 중장기 로드맵 기반으로 기술 선행 준비 등 새로운 도약을 위한 미래 준비에 집중할 계획'이라고 덧붙였다.

/권용삼 기자(dragonbuy@inews24.com)