삼성전자 “로직 공정 고도화로 맞춤형 HBM 만들겠다”

배용철 부사장

삼성전자가 클라우드·온디바이스 AI·차량 등 인공지능(AI)이 적용되는 응용처별 메모리 반도체 라인업 강화를 위한 맞춤형 HBM(고대역폭메모리) 등 미래 솔루션을 제시했다. 배용철 삼성전자 부사장은 8일 자사 뉴스룸에 이 같은 내용의 기고문을 올렸다.

배 부사장은 “맞춤형 HBM D램은 향후 메모리 반도체 기술 한계 극복을 위한 돌파구 역할을 할 것”이라고 강조했다. 이를 위해 삼성전자는 차세대 HBM4부터 버퍼 다이에 선단 로직 공정을 활용할 예정이다.

버퍼 다이란 HBM에 적층된 메모리를 컨트롤 하는 가장 아래층을 말한다. 이곳의 선폭을 줄이면 HBM에 다양한 기능을 추가로 입력할 수 있다. 이를 통해 범용제품이 아닌 고객사 맞춤형 제품을 만들겠다는 게 삼성의 전략이다.

메모리 기업이 이 같은 선단 공정을 적용하기 위해서는 파운드리(위탁생산) 전문 기업의 기술이 필요하다. 삼성은 메모리 기업이면서 동시에 파운드리 역량을 가지고 있기 때문에 이 같은 맞춤형 HBM 제조에 최적화 되어 있다는 평가를 받고 있다.

배 부사장은 맞춤형 HBM 이외에 차세대 D램 기술로 떠오르는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크)신제품도 강조했다. CMM-D는 기존 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있는 제품이다. 배 부사장은 “업계 최고 용량 제품 개발에 성공하며 CXL을 선도중”이라고 강조했다.

메모리에 연산 기능을 추가한 PIM(프로세서 인 메모리)도 주목할 분야라고 짚었다. 삼성전자는 2021년 HBM에 PIM을 적용한 제품을 세계 최초로 개발하고 연구개발(R&D)을 이어오고 있다. 배 부사장은 “급변하는 기술과 시장 환경에 민첩하게 대응하기 위해 최근 메모리 상품기획실을 신설하는 등 본격적인 미래 준비에 박차를 가하고 있다”고 자신감을 밝혔다.