“맞춤형 HBM, 반도체 기술한계 돌파구”

배용철 부사장 삼성뉴스룸 기고문
응용처별 라인업 강화·리더십 확보
메모리 패러다임 주도권 선점 천명
차세대 컴퓨팅 이끌 CMM 언급도

삼성전자가 클라우드·온디바이스 AI·차량 등 인공지능(AI)이 적용되는 응용처별 메모리 라인업을 강화해 미래 기술 리더십 확보에 나선다. 특히 맞춤형 HBM(Custom HBM) 비전을 처음으로 공개했다. 이를 통해 메모리 패러다임의 변화를 선도하고 AI 주도권을 선점하겠다는 방침이다. 9일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 개막하는 세계 최대 가전·IT 전시회 ‘CES 2024’에서도 AI 시대에 대응할 최적의 메모리 솔루션을 대거 선보인다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 8일 자사 뉴스룸에 게재한 기고문 ‘AI 시대, 최적 메모리 솔루션으로 미래 기술을 그리다’를 통해 이 같이 강조했다.

배 부사장은 “AI 플랫폼의 성장으로 고객 맞춤형 HBM(고대역폭 메모리)에 대한 요구가 증가하고 있다”며 “맞춤형 HBM D램이 향후 메모리 반도체 기술 한계 극복을 위한 돌파구 역할을 할 것”이라고 내다봤다.

HBM은 D램을 여러 층으로 쌓아 올린 형태의 메모리다. 기존 D램보다 데이터 처리 속도가 빨라 AI 서버처럼 대량의 데이터를 처리해야 하는 다양한 분야에서 활용되고 있다.

배 부사장은 삼성전자의 HBM3E 제품인 ‘샤인볼트’에 대해 “기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐으며 초거대 AI 모델이 요구하는 메모리 성능과 용량을 만족시킬 것”이라고 강조했다.

그러면서 “고객들의 개별 요구에 대응하기 위해 차세대 HBM4부터 버퍼 다이(Buffer Die)에 선단 로직 공정을 활용할 예정”이라며 “삼성전자만이 보유한 메모리, 파운드리, 시스템 LSI 등 종합 역량과 차세대 D램 공정, 최첨단 패키지 기술로 새로운 시장 변화에 맞춰 최적의 솔루션을 제공할 것”이라고 밝혔다.

배 부사장은 AI시대를 이끌 또 다른 솔루션으로 CMM D램(CXL Memory Module DRAM)을 언급했다. CMM D램은 기존 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있어 AI, 머신러닝 등 고속의 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받고 있다.

배 부사장은 “삼성전자가 2021년 5월 세계 최초 CMM-D 기술 개발을 시작으로, 업계 최고 용량의 512GB CMM-D와 CMM-D 2.0을 개발하며 업계를 선도하고 있다”며 “현재 256GB CMM-D 샘플 공급이 가능한 유일한 업체로서 다양한 파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 CXL 메모리 생태계를 구축하고 있다”고 강조했다.

온디바이스 AI용 솔루션 중 하나로 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 것으로 주목받는 ‘LPDDR5X CAMM2’에 대해선 “현재 주요 파트너들에게 샘플을 제공하고 검증을 진행 중”이라며 “AI, HPC(고성능컴퓨팅), 서버, 데이터센터 등 응용처 확대를 위해 주요 고객과 논의 중에 있다”고 설명했다.

세계 최초 탈부착이 가능한 차량용 SSD(대용량 저장장치)를 통해 2025년 전장 메모리 시장 1위 달성 계획도 강조했다. 그는 “유럽 주요 완성차 고객 및 티어1 고객들과 세부사양 협의를 진행하고 있으며 올해 1분기 내 기술적 검증(PoC)을 완료할 계획”이라고 밝혔다.

한편, 지난해 12월 신설한 메모리 상품기획실에 대해선 대내외 컨트롤 타워 역할을 수행할 것이라고 설명했다. 고객 기술 대응 부서들을 하나로 통합해 만든 상품기획실은 제품 기획부터 사업화 단계까지 전 영역을 담당한다. 앞으로 상품기획실은 ▷초격차를 지향하는 경쟁력 있는 제품 기획 ▷급변하는 대내외 변화를 고려한 제품 개발 관리 ▷개별화된 고객 요구에 대한 적극 대응을 통해 메모리 시장에서의 기술 리더십을 확고히 한다는 계획이다. 김현일 기자

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