평택 반도체 공장 사망 근로자 사인 "추락에 의한 손상"

국과수 부검 1차 구두소견 나와…경찰, 관련자 조사 계속

(평택=연합뉴스) 강영훈 기자 = 경기 평택경찰서는 지난 2일 삼성반도체 평택공장 공사 현장에서 사망한 50대 근로자 A씨의 사인이 "추락에 의한 다발성 손상으로 추정된다"는 국립과학수사연구원 부검 1차 구두 소견을 전달받았다고 5일 밝혔다.

이에 따라 경찰은 당초 사고 원인대로 A씨가 추락에 의해 숨진 것으로 보고 있다.

삼성전자 평택캠퍼스 [연합뉴스 자료사진]

유족 등을 상대로 한 조사 결과 A씨는 평소 별다른 지병이 없었다.

경찰은 아직 시신 부검이 완전히 끝난 것은 아니라며, 향후 더욱 정밀한 감정을 통해 사인을 명확히 밝힐 계획이라고 설명했다.

앞서 지난 2일 오전 9시 45분께 경기도 평택시 고덕산업단지 내 삼성반도체 제4공장(P4) 복합동 공사 현장에서 배관 연결 작업을 위해 이동하던 A씨가 7ｍ 아래로 추락해 숨졌다.

사고가 난 건물은 총 8층(높이 82ｍ) 규모로, 삼성엔지니어링이 시공을 맡아 현재 공사 중이다.

반도체 공장 특성상 각층 바닥에서 천장까지의 높이가 상당한데, A씨는 복층 구조로 된 6층에서 일하다가 변을 당했다.

경찰과 고용노동부는 공사 현장 관계자 등을 대상으로 자세한 사고 경위를 조사하고 있다.

kyh@yna.co.kr

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