'반도체 기술 中 유출' 삼성전자 前 직원 구속기소
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우리나라 핵심 반도체 기술을 중국으로 빼돌린 혐의를 받는 전직 삼성전자 부장 등이 구속상태로 재판에 넘겨졌습니다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 오늘(3일) 산업기술보호법 위반 혐의로 삼성전자 전직 부장 김 모 씨와 협력사 전직 팀장 방 모 씨를 구속기소 했습니다.
김 씨는 2016년 중국 신생 반도체업체로 이직한 뒤, 삼성전자의 국가핵심기술인 18나노급 D램 반도체 기술을 무단 유출한 혐의를 받습니다.
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우리나라 핵심 반도체 기술을 중국으로 빼돌린 혐의를 받는 전직 삼성전자 부장 등이 구속상태로 재판에 넘겨졌습니다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 오늘(3일) 산업기술보호법 위반 혐의로 삼성전자 전직 부장 김 모 씨와 협력사 전직 팀장 방 모 씨를 구속기소 했습니다.
김 씨는 2016년 중국 신생 반도체업체로 이직한 뒤, 삼성전자의 국가핵심기술인 18나노급 D램 반도체 기술을 무단 유출한 혐의를 받습니다.
또, 방 씨와 공모해 삼성전자 관계사인 반도체 장비 납품업체에서 첨단기술인 반도체 증착 장비 설계 자료를 빼돌린 혐의도 받고 있습니다.
두 기술 모두 초소형 반도체를 만드는 데 활용되는 핵심 기술로, 검찰은 기술 유출에 따른 단순 피해액만 수조 원대에 달할 것으로 보고 있습니다.
YTN 부장원 (boojw1@ytn.co.kr)
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