삼성전자, 시설투자만 한해 53조원 … AI 반도체 시장도 주도

삼성전자 평택캠퍼스 전경. 삼성전자

삼성전자가 연구개발(R&D)과 전략적 시설 투자를 통해 2024년에도 힘차게 도약한다.

삼성전자는 2023년에만 시설 투자에 약 53조7000억원을 투입했다. 연간 최대 수준이다. 메모리 반도체의 경우에는 중장기 수요에 대응하기 위해 평택캠퍼스 3기 마감, 4기 골조 투자 등 R&D 투자 비중 확대가 예상된다.

업계 최고 수준의 고대역폭메모리(HBM) 생산능력을 확보하기 위한 투자도 적극적으로 진행한다. 파운드리(반도체 위탁생산) 부문에선 첨단 공정 수요에 대응하기 위해 평택캠퍼스 생산능력 확대와 미국 테일러공장 인프라스트럭처 투자 등으로 2022년보다 투자가 늘었다.

특히 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단 공정 제품 판매와 다양한 응용처에서의 신규 수주를 지속적으로 확대할 계획이다. 이를 통해 기술 경쟁력과 시장 리더십을 더욱 공고히 한다는 방침이다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 바탕으로 HBM3, HBM3E 비중을 확대한다.

시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 확대하고 모바일 시장 외 사업 영역을 넓힐 계획이다. 파운드리는 게이트 올 어라운드(GAA) 3나노 2세대 공정 양산과 미국 테일러공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 강화한다. 이를 통해 고성능 컴퓨팅(HPC), 차량, 소비자용 등 응용처로 수주를 확대해 나갈 방침이다.

삼성전자 관계자는 "초거대 인공지능(AI) 시대에 메모리 기술의 발전과 성능 향상이 중요하다"면서 "지난 40년간 업계를 선도하며 쌓아온 독보적인 기술 노하우를 바탕으로 AI 반도체 생태계를 확장할 다양한 메모리 제품을 준비해왔다"고 강조했다.

2016년에는 세계 최초로 고성능 컴퓨팅용 HBM 사업화를 시작하며 AI용 메모리 시장을 개척했다. 2017년에 선보인 8단 적층 HBM2는 당시 가장 빠른 속도의 메모리였던 GDDR5보다 8배 빠른 속도를 구현했다. 이를 통해 AI·HPC 시대에 필수적인 3차원 스택 기술을 선보였다.

삼성전자는 9.8Gbps 속도의 HBM3E 제품을 개발해 고객사에 샘플을 공급할 예정이다. 2025년에는 HBM4를 개발하는 것을 목표로 잡았다. 해당 제품에 적용하기 위해 고온 열 특성에 최적화된 기술도 준비하고 있다. 이를 통해 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발하겠다는 것이 삼성전자의 목표다.

아울러 플래그십 중심으로 스마트폰 판매를 확대하고 초대형 TV 시장을 선도해 경쟁력을 강화할 방침이다. AI 기술 적용을 확대하고 스마트싱스를 통한 고객 맞춤형 초연결 경험을 제공하며 확장현실(XR) 등 신성장 기술 확보도 적극 추진할 계획이다.

삼성전자는 갤럭시 AI를 공개해 자체 개발한 온디바이스 AI 기술을 선보인다. 삼성전자 관계자는 "사용자들이 많이 쓰는 핵심 기능에 생성형 AI 기술을 적용해 더 창의적이고 편리하며 초개인화된 경험을 제공할 계획"이라고 설명했다. 또 XR, 디지털 헬스, 디지털 월렛 등 미래 성장 분야 투자도 강화한다.

영상디스플레이(VD) 사업부에선 초고화질·초대형 TV 시장을 이끌어나갈 계획이다. 생활가전은 스마트싱스를 바탕으로 가전과 기기 간 연동 경험을 고도화한다.

하만은 차량 내 고객 경험을 강화해 전장 디스플레이 등 신규 사업 수주를 확대할 계획이다. 하만·삼성전자 협업도 확대해 제품 차별화를 추진한다.

삼성전자는 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2024에선 '모두를 위한 AI: 일상 속 똑똑한 초연결 경험'이라는 주제에 맞춰 AI 전략도 선보인다. 삼성전자 관계자는 "삼성전자가 추구하는 혁신은 항상 고객 경험으로 출발한다"며 "이를 실현하기 위해 AI, 데이터 인텔리전스 등 새로운 라이프스타일을 창출하는 선행 기술 연구에 매진하고 있다"고 강조했다.

[성승훈 기자]