美, 반도체 규제 확대하자...中, 28나노 노광장비 개발로 맞불

/그래픽=김현국

중국 국영 반도체 기업 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)가 자체 기술로 28나노(nm·1나노는 10억분의 1m) 노광장비를 개발했다고 발표했다. 미국 상무부가 첨단 반도체 중심이었던 대(對)중국 반도체 규제를 범용 반도체까지 확대하겠다고 발표한 뒤 나온 소식이다.

31일(현지 시각) 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 SMEE의 후원사인 상하이창장그룹은 지난주 중국 소셜미디어인 위챗 계정을 통해 “포토리소그래피 기술을 보유한 유일한 국내 기업으로서 SMEE가 28나노노광장비를 성공적으로 개발했다”고 밝혔다. 다만 이 게시글은 곧바로 삭제됐다. SCMP는 “SMEE의 28㎚ 노광장비 개발에 대한 첫 공식 확인이지만 중국 매체들의 관련 보도가 검열된 것”이라고 전했다.

앞서 지난 7월 말 SCMP는 SMEE가 연말까지 자체 개발한 28나노 노광 장비 SSA/800-10을 인도할 것으로 전망된다고 보도했다.

노광 장비는 반도체 원재료인 웨이퍼에 미세한 회로를 새겨 넣는 데 쓰는 핵심 장비이다. 28나노는 2011년부터 본격 상용화된 반도체 제조 기술로 구형 기술에 해당하지만, 자동차·무기·5G(5세대 이동통신)·사물인터넷용 반도체 제작에 여전히 널리 사용되고 있다.

이번 SMEE의 28나노노광장비 개발을 두고 SCMP는 “ASML의 EUV 노광장비에는 한참 뒤처져 있지만 중국이 반도체 성숙 공정(구세대 반도체 공정)에 집중하는 가운데 중요한 성과를 냈다”고 평가했다.

대만 시장조사업체 트렌드포스는 최근 보고서에서 중국이 현재 44개의 반도체 웨이퍼 공장을 가동하고 있고 22개의 공장을 추가로 건설 중이라고 밝혔다. 이어 2024년 말까지 중국 32개 공장에서 28나노 이상 성숙 반도체 생산 역량이 확대될 것이라고 봤다. 이후 현재 세계 시장 점유율이 31%인 중국의 범용 반도체 제조 역량이 2027년까지 39%에 도달할 것으로 전망했다.

이같은 발표는 미국 정부가 대(對)중국 반도체 규제를 범용 반도체까지 확대하겠다고 발표한 뒤 나왔다. 미국 상무부는 지난달 21일 내년 1월부터 산업안보국(BIS) 주관으로 자동차, 항공우주, 방산, 통신 등 주요 산업 분야 미국 내 기업을 대상으로 범용 반도체의 사용 현황 및 조달처 등을 조사할 계획이라고 밝혔다.