기술 혁신에 '정년' 없다…SK하이닉스 올해의 전문가 3人은

장경윤 기자 2023. 12. 21. 11:14
자동요약 기사 제목과 주요 문장을 기반으로 자동요약한 결과입니다.
전체 맥락을 이해하기 위해서는 본문 보기를 권장합니다.

SK하이닉스는 박승민·최종덕 기성을 2023년 '마스터'로, 미래기술연구원 박철환 TL을 2023년 '아너드 엔지니어(Honored Engineer, 이하 HE)'로 선정했다고 21일 밝혔다.

지난해 처음 도입한 마스터는 정년 없이 근무하는 현장 최고의 기술 전문가다.

이와 같은 성과를 기반으로 박 TL은 2018년 DE로 선발된 데 이어 올해 최고의 엔지니어 전문가인 HE 직책을 부여받았다.

음성재생 설정
번역beta Translated by kaka i
글자크기 설정 파란원을 좌우로 움직이시면 글자크기가 변경 됩니다.

이 글자크기로 변경됩니다.

(예시) 가장 빠른 뉴스가 있고 다양한 정보, 쌍방향 소통이 숨쉬는 다음뉴스를 만나보세요. 다음뉴스는 국내외 주요이슈와 실시간 속보, 문화생활 및 다양한 분야의 뉴스를 입체적으로 전달하고 있습니다.

마스터 및 HE로 선정된 전문가, SK하이닉스서 정년 없이 근무

(지디넷코리아=장경윤 기자)SK하이닉스는 박승민·최종덕 기성을 2023년 ‘마스터’로, 미래기술연구원 박철환 TL을 2023년 ‘아너드 엔지니어(Honored Engineer, 이하 HE)’로 선정했다고 21일 밝혔다.

지난해 처음 도입한 마스터는 정년 없이 근무하는 현장 최고의 기술 전문가다. 장비 유지 및 보수를 담당하는 메인트(Maintenance) 직군 내에서 가장 높은 직책에 해당한다.

박승민 기성(사진= SK하이닉스)

회사는 제조∙생산 분야에서도 고도의 지식과 노하우가 필요하다는 판단 하에, 현장 기술자의 경험과 역량을 활용하고 계승하기 위해 ‘명장’과 ‘마스터’ 직책을 도입한 바 있다. 

명장은 현장 최고 수준의 기술 전문가로 여러 난제를 해결하는 역할을 맡는다. 여기서 나아가 마스터는 명장 중에서도 가장 뛰어난 역량과 전문성을 지닌 구성원 중에서 선발된다. 이들은 난제 해결은 물론 지식을 문서화하고 다음 세대 명장과 마스터를 기르기 위한 롤모델 역할을 수행하며, 경영진과 함께 의사 결정에도 참여한다.

이번에 마스터로 선정된 기반기술센터 박승민 기성은 주로 전자현미경으로 반도체의 내부를 계측해 구조적인 오차를 줄이는 업무를 맡고 있다. 수많은 난제를 해결하며 명장 of The Year Challenge상, VWBE(Voluntarily Willingly Brain Engagement) 실천상, 우수사원상 등 다양한 수상 기록을 세웠다.

최종덕 기성(사진= SK하이닉스)

28년차인 그는 2018년 명장이 된 후에도 굵직한 프로젝트를 여럿 성공시켰다. 2019년에는 전자현미경의 고질적 문제였던 오측정 이슈를 해결했으며, 이후에는 장비간 계측 수치에 오차가 생기는 문제를 해결하는 시스템을 개발해 냈다.

올해 26년차인 D램개발담당 최종덕 기성은 2019년 명장에 선발된 이후 명장 of The Year 특별상과 우수사원상을 각각 두 번이나 받았다. 1997년 입사해 19년 동안 D램 웨이퍼 테스트 업무를 해온 그는 2017년부터는 패키지 테스트 업무를 맡아 두 가지 분야에 통달한 전문가로 인정받는다.

박철환 TL(사진=SK하이닉스)

HE는 SK하이닉스 기술사무직군 내 엔지니어 중에서 최고의 경력과 전문성을 갖춘 이에게 부여되는 직책이다. 정년 없이 반도체 연구 개발에 매진해 본인의 역량을 지속 발휘할 수 있다.

SK하이닉스는 사내 엔지니어를 대상으로 DE(Distinguished Engineer)와 HE라는 전문가 트랙을 운영하고 있다. 오랜 기간 쌓아온 전문 지식을 활용해 기술 개발 및 노하우 전수에 기여할 수 있는 우수 엔지니어를 먼저 DE로 선발하고, 그중에서도 최고의 역량과 전문성을 지닌 엔지니어를 HE로 선발해 오고 있다.

2023년 HE로 선정된 박철환 TL은 1996년 입사 후 D램 캐패시터(Capacitor) 연구에 매진해 왔다. D램에 데이터를 저장하려면 D램 내부의 캐패시터라는 곳에 일정량 이상의 전자(정전용량)가 담겨 있어야 하는데, 최근 공정 미세화로 캐패시터의 크기가 매우 작아져 이를 유지하기가 어려워졌다.

박 TL은 정전용량을 확보하고 전자가 빠져나가는 것을 막기 위한 연구 활동을 꾸준히 수행해 왔다. 그 결과 전자를 저장하는 능력(유전률)이 높은 High-K 소재의 캐패시터 유전막을 3개월 만에 제품화하는 데 성공하며 사내 SKMS 실천상을 수상하기도 했다. 

또한 최근 3년 동안 개발 프로젝트 TF에서 유전막 개발을 주도하고 AI 메모리인 HBM3E 등의 캐패시터 특성을 개선하는 데 기여했다. 이와 같은 성과를 기반으로 박 TL은 2018년 DE로 선발된 데 이어 올해 최고의 엔지니어 전문가인 HE 직책을 부여받았다.

장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)

Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.

이 기사에 대해 어떻게 생각하시나요?