"중국 회사에 반도체 기술 유출"..삼성전자 전 부장 구속
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삼성전자의 반도체 기술을 중국 회사에 유출한 혐의로 삼성전자 전 부장과 전 협력업체 직원이 구속됐습니다.
서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 15일 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 삼성전자 부장 출신인 김 모 씨 등 2명에 대해 구속영장을 발부했습니다.
김 씨는 국가핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제품 개발에 사용하게 한 혐의 등을 받습니다.
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삼성전자의 반도체 기술을 중국 회사에 유출한 혐의로 삼성전자 전 부장과 전 협력업체 직원이 구속됐습니다.
서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 15일 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 삼성전자 부장 출신인 김 모 씨 등 2명에 대해 구속영장을 발부했습니다.
이 부장판사는 2명 모두 증거인멸 우려가 있다고 봤습니다.
김 씨는 국가핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제품 개발에 사용하게 한 혐의 등을 받습니다.
D램은 컴퓨터의 주력 메모리로 사용되는 부품 중 하나로, 용량이 크고 처리 속도가 빠릅니다.
검찰은 김 씨가 다른 7개 핵심 공정 관련 기술 자료도 함께 넘기며, 수백억 원대 금품도 수수한 것으로 보고 있습니다.
또 김 씨가 세후 5억 원이 넘는 임금을 제시하면서, 삼성전자와 관계사의 기술 인력 20여 명도 유출한 것으로 의심하고 있습니다.
검찰은 기술 유출 범행에 가담한 이들에 대해 추가 수사를 이어갈 방침입니다.
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