'중국에 반도체 기술 유출' 삼성전자 前 직원 구속
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반도체 핵심 기술을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 부장과 및 협력업체 직원들이 구속됐다.
검찰에 따르면 김 씨는 국가핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반) 등을 받는다.
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반도체 핵심 기술을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 부장과 및 협력업체 직원들이 구속됐다.
이민수 서울중앙지법 영장전담 부장판사는 15일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 혐의를 받는 김모 삼성전자 전 부장과 협력업체 전 부장 방모 씨 등 2명에 대해 "증거인멸의 염려가 있다"며 구속영장을 발부했다.
검찰에 따르면 김 씨는 국가핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반) 등을 받는다.
김 씨는 2016년 신생 업체인 CXMT로 이직하면서 기술을 유출하고 대가로 수백억원대 금품을 수수했다는 혐의도 받는다. CXMT는 설립 수년 만에 중국의 주요 D램 반도체 업체로 빠르게 성장해 한국·미국 경쟁사들과의 기술 격차를 좁혀나가고 있다.
방 씨는 김 씨와 공모해 자신이 다니던 협력업체의 반도체 증착 장비 설계 기술 자료를 중국의 다른 설비업체로 유출하기도 한 것으로 조사됐다.
검찰은 기술 유출 범행에 가담한 이들이 상당수 더 있는 것으로 보고 추가 수사를 진행 중이다. 공범 1명은 이미 구속기소했다.
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