'반도체 기술 中 유출' 삼성전자 전직 부장 등 구속
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우리나라 핵심 반도체 기술을 중국에 빼돌린 혐의를 받는 삼성전자 전직 부장 등이 결국 구속됐습니다.
서울중앙지방법원은 증거인멸 우려가 있다며, 삼성전자 전직 부장 김 모 씨와 관계사 직원 방 모 씨의 구속영장을 발부했습니다.
김 씨는 2016년 중국 신생 반도체업체로 이직한 뒤, 삼성전자의 국가핵심기술인 18나노급 D램 반도체 기술을 무단 유출한 혐의를 받습니다.
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우리나라 핵심 반도체 기술을 중국에 빼돌린 혐의를 받는 삼성전자 전직 부장 등이 결국 구속됐습니다.
서울중앙지방법원은 증거인멸 우려가 있다며, 삼성전자 전직 부장 김 모 씨와 관계사 직원 방 모 씨의 구속영장을 발부했습니다.
앞서 구속영장 실질심사에 출석한 두 사람은 기술 유출 혐의를 인정하는지 등 취재진 질문에 아무런 대답을 하지 않았습니다.
김 씨는 2016년 중국 신생 반도체업체로 이직한 뒤, 삼성전자의 국가핵심기술인 18나노급 D램 반도체 기술을 무단 유출한 혐의를 받습니다.
또, 방 씨와 공모해 삼성전자 관계사인 반도체 장비 납품업체에서 첨단기술인 반도체 증착 장비 설계 자료를 빼돌린 혐의도 받고 있습니다.
지난 12일, 두 사람의 구속영장을 청구한 검찰은 이들이 중국 업체에서 보수 형태로 거액을 받은 정황을 포착하고 구체적인 금액과 대가성 여부도 수사하고 있습니다.
아울러 두 사람과 공모해 기술을 유출한 혐의로 지난 8일, 공범 한 명을 재판에 넘기고, 다른 공범들 수사에도 속도를 내고 있습니다.
YTN 권민석 (minseok20@ytn.co.kr)
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