'중국에 반도체 기술 유출' 삼성전자 전 직원 구속
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반도체 핵심 기술을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 삼성전자와 협력업체 전 직원이 구속됐습니다.
김 씨는 국가핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반) 등을 받습니다.
김 씨는 방 씨와 공모해 A사의 반도체 증착 장비 설계 기술 자료를 중국의 다른 설비업체로 유출하기도 한 것으로 조사됐습니다.
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반도체 핵심 기술을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 삼성전자와 협력업체 전 직원이 구속됐습니다.
서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 김 모 전 삼성전자 부장과 협력업체 A사 전 부장 방 모 씨에 대한 구속 전 피의자 심문을 진행한 끝에 "증거인멸 염려가 있다"며 조금 전 구속영장을 발부했습니다.
김 씨는 국가핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반) 등을 받습니다.
김 씨는 방 씨와 공모해 A사의 반도체 증착 장비 설계 기술 자료를 중국의 다른 설비업체로 유출하기도 한 것으로 조사됐습니다.
검찰은 김 씨 등이 2016년 신생 업체인 CXMT로 이직해 기술을 유출한 대가로 금품을 수수한 것으로 의심하고 있습니다.
CXMT는 설립 수년 만에 중국의 주요 D램 반도체 업체로 빠르게 성장해 한국·미국 경쟁사들과의 기술 격차를 좁혀나가고 있습니다.
검찰은 기술 유출 범행에 가담한 이들이 상당수 더 있는 것으로 보고 관련 수사를 진행 중인데, 공범 1명은 이미 구속기소됐습니다.
(사진=연합뉴스)
김상민 기자 msk@sbs.co.kr
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