삼성의 '세계 최초' 반도체 연구 성과, 정상급 학술지에 등재

논문에 참여한 삼성전자 혁신센터 CSE 팀과 SAIT 연구진. 왼쪽부터 양승열 SAIT 마스터와 오영택, 김대신 혁신센터 CSE 팀 상무 , 최운이, 손원준 파트장 , 권의희 DE. /사진 = 삼성전자 제공

삼성전자 연구진이 전원을 꺼도 정보가 사라지지 않는 '비휘발성 메모리'인 플래시 메모리의 저장 원리를 밝혀내는 데에 성공했다.

삼성전자는 자사 혁신센터의 CSE(컴퓨터공학)팀이 작성한 논문이 학술지 '어드밴스드 머트리얼즈'에 등재됐다고 14일 밝혔다. 어드밴스드 머트리얼즈는 재료과학을 다루는 국제 학술 저널로, 우수한 논문들이 게재되는 신소재·재료 분야에서 가장 권위 있는 학술지 중 하나다.

논문에는 최운이 CSE팀 박사가 제1저자 및 교신저자로 참여했으며, 김대신 상무와 권의희 DE, 손원준 파트장, 양승열 SAIT(구 종합기술원) 마스터 등이 공동 저자로 이름을 올렸다.

삼성전자 CSE 팀은 기존 연구와 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 근본 원리를 연구했다. 플래시 메모리가 활용하는 물질은 원자들이 무질서하게 배열된 비정질이어서, 규칙성을 띤 정질 물질보다 특징을 파악하는 것이 어렵다.

CSE 팀은 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 원리를 규명했다. 플래시 메모리는 일상과 밀접하게 연관된 반도체이지만, 그간 원자 수준에서 일어나는 현상에 대한 연구 성과는 미흡한 수준이었다. 삼성의 연구 전까지는 구체적인 저장 원리가 알려지지 않았다.

삼성전자는 연구를 계기로 플래시 메모리의 한계를 극복할 수 있는 시너지 효과를 내기를 기대하고 있다. 저장 원리가 밝혀지면서 저렴한 가격에 더 많은 양의 데이터를 저장할 수 있게 되고, 인공지능(AI)의 성능이 강화돼 핵심기술의 진보를 앞당길 수 있게 되었다는 의미다.

삼성전자 관계자는 "그 동안 간과했던 원자 수준에서의 메모리 작동 원리를 밝혀냈다는 데 의의가 있다"면서 "연구 성과를 토대로 3차원 낸드(V낸드) 혁신이 가속화될 것"이라고 말했다.

오진영 기자 jahiyoun23@mt.co.kr