中 CXMT, 'GAA' 기술 개발 시사…"삼성전자 맹추격"

CXMT, 최근 논문 통해 D램에 GAA 설계 구현 발표

[서울=뉴시스]중국 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용하는 저전력(Low Power) D램인 'LPDDR5'를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. (사진=CXMT 홈페이지 캡쳐) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 중국 D램 반도체 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 반도체 공정인 GAA(게이트올어라운드) 기술을 개발했음을 시사해 눈길을 끈다.

14일 업계에 따르면 CXMT는 최근 미국 샌프란시스코에서 열린 제69회 국제반도체소자학회(IEDM)에 제출한 논문을 통해 D램에 차세대 트렌지스터 구조인 GAA 설계를 구현하는데 성공했다고 밝혔다.

GAA 기술은 삼성전자가 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 제조 공정에 세계 최초로 적용한 것으로, 반도체 미세화의 한계를 돌파할 신기술로 꼽힌다.

메모리 반도체 D램은 집적도를 높이기 위해, 수년 내 반도체 구조를 수직으로 전환하는 방향으로 나아가고 있다. 하지만 아직 성능 저하 등 난관이 있어서 상용화까지는 시간이 필요하다.

이런 가운데 D램 업계 후발주자인 중국 CXMT가 GAA 설계를 D램에 적용해 D램 소형화에 성공했다고 밝힌 것이다. 아직 GAA 기술을 상용화한 곳은 삼성전자가 유일하다.

이에 따라 중국 반도체 업계가 미국 제재를 뚫고 또 다시 반도체 기술 도약을 이뤄냈을 지 관심이 커진다.

CXMT는 또 다른 중국 메모리 반도체 기업 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와 달리, 미국 상무부로부터 특별 수출 허가를 받아야만 미국 공급업체로부터 기술을 구매할 수 있는 '수출 통제 명단(Entity List)'에 올라있지 않다.

하지만 미국 상무부가 중국을 상대로 18나노 이하 D램 기술 확보가 어렵도록 여전히 광범위한 장비 수출 통제 등 규제 압력을 가하는 상황에서 개발 성과를 냈다는 점은 반도체 업계의 주목을 받을 만하다.

홍콩 사우스차이나모닝포스트는 이와 관련 "중국 주요 메모리 칩 제조업체가 미국의 엄격한 무역 제한 속에서 또 다른 기술 돌파구를 마련했을 수 있다"고 전했다.

단 CXMT 측은 "해당 논문은 설계의 타당성과 관련된 기초 연구를 기술하고 있을 뿐, 현재 생산 공정과는 아무 관련이 없다"고 밝혔다.

CXMT는 최근 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용하는 저전력(Low Power) D램 'LPDDR5'를 중국 최초로 개발하는 데 성공했다. 삼성전자 대비 4년 이상 늦게 출시된 제품이라는 점에서 시장성 논란이 일고 있지만, 한국 D램 업계와 기술 격차를 좁힌 성과라는 평가도 들린다.

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