플래시메모리 `미세화` 난제 해결…삼성, 세계적 학술지에 논문 게재

삼성전자 혁신센터 CSE팀과 SAIT 연구진이 플래시 메모리의 저장 원리에 대한 논문을 발표해 세계 정상급 학술지에 게재했다. 삼성전자 제공

삼성전자는 세계 정상급 학술지 '어드밴스드 머티리얼즈(Advanced Materials)'에 플래시 메모리의 미세공정 난제를 해결하는 저장 원리에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다.

해당 논문은 삼성전자 혁신센터 CSE(Computational Science and Engineering)팀의 최운이 박사가 제1저자 및 교신저자로 참여했으며, 김대신 상무와 권의희 DE, 손원준 파트장, 양승열 SAIT(옛 종합기술원) 마스터 등이 공동 저자로 참여했다. 삼성전자 혁신센터 CSE팀은 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨터를 활용해 반도체의 공정, 메모리를 비롯한 다양한 소자의 전기적 특성, 소재의 다양한 특성을 시뮬레이션 하는 부서다.

학계에서 원자 수준에서의 플래시 메모리의 근본적인 저장 매커니즘은 많은 논쟁과 연구가 지속되는 분야다. 삼성전자의 주력 제품인 V낸드는 세대를 거듭하면서 적층 단수가 늘어나고, 이에 따른 고도의 미세화가 필요한 상황에서 '원자 수준'에서 일어나는 현상의 근본적인 이해는 향후 메모리 개발 혁신을 위해 필요한 과정이다.

특히 비정질 실리콘 질화물에 전자를 안정적으로 잡아 두는 것이 저장원리인데 그 구체적인 내용에 대해서는 해당 연구 전까지는 밝혀지지 않았다.

이에 삼성전자 혁신센터 CSE팀은 이번 연구에서 기존과 차별화된 접근 방식을으로 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했으며, 그 내용을 담은 논문이 우수성을 인정받아 재료공학 분야의 세계 정상급 학술지에 게재된 것이다.

삼성전자는 이번 연구 성과에 대해 "그동안 간과했던 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 점에서 의의가 있다"고 설명하며, 이번 연구를 근거로 플래시 메모리 미세화의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대했다.전혜인기자 hye@dt.co.kr