“반도체 기술 중국에 또 유출” 삼성전자 전 부장 등 구속영장

삼성전자가 지난해 세계 최초로 상용화한 12나노 D램. (기사와 직접 관련 없습니다.) 서울신문 DB

검찰이 국내 반도체 기술을 중국 업체에 넘긴 혐의로 삼성전자 전직 부장 등 2명에 구속영장을 청구했다.

13일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자를 퇴사한 뒤 2016년 중국 신생 반도체업체 ‘창신메모리’로 이직해 16나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램 핵심기술을 넘긴 혐의로 김모 전 부장에 구속영장을 청구했다.

검찰은 삼성전자 관계사 전 직원 방모씨에 대해서도 구속영장을 청구했다.

검찰은 기술 유출 단순 피해액만 수조원에 달하고 창신메모리가 이 기술로 나노급 D램을 양산할 수 있게 돼 한국 기업과의 기술격차가 줄어든 것까지 감안하면 실제 피해는 수십조원에 이를 것으로 보고 있다.

검찰은 두 사람 외에도 하청업체 출신 등 실무 인력 수십명이 기술 유출에 가담한 것으로 보고 수사를 확대하고 있다.

앞서 국가정보원은 이들의 기술유출 정황을 포착해 지난 5월 검찰에 수사를 의뢰했다. 그러나 핵심 인물들이 중국에 머물고 있어 수사에 속도를 내지 못하다가 김 전 부장과 방씨가 지난 10월 귀국하면서 수사에 속도가 붙었다.

이들에 대한 구속 여부는 법원의 심사를 거쳐 15일쯤 결정된다.

류지영 기자