'삼성전자 추격' 중국 창신메모리, 차세대 설계 역량 시사

중국 D램 반도체업체인 창신메모리테크놀로지가 차세대 반도체 기술로 주목받는 GAA 설계 역량을 갖춘 것으로 보인다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트가 보도했습니다.

창신메모리가 최근 미국에서 열린 국제학회에 제출한 논문에서, 소형 D램 설계 과정에, GAA 를 제작하는데 성공했다는 내용을 담았다고 해당 매체가 전했습니다.

GAA 기술은 반도체 제작 공정을 미세화하면서 생기는 트랜지스터의 성능 저하 문제를 해결하고 데이터 처리 속도를 높이는 차세대 핵심 기술로 꼽힙니다.

현재까지 GAA 트랜지스터 구조를 도입한 파운드리 업체는 삼성전자가 유일하며, TSMC는 2025년 2나노 공정부터 도입할 예정인 것으로 알려져 있습니다.

하지만, 해당 기술에 미국의 수출 통제 대상이 되는 사항이 포함될 수 있다는 지적이 제기되자, 창신메모리 측은 "논문은 D램 구조와 설계의 타장성에 관한 기초 연구를 설명한 것으로, 현재 생산 공정과 아무런 관련이 없다"는 입장을 밝혔습니다.

나세웅 기자(salto@mbc.co.kr)

기사 원문 - https://imnews.imbc.com/news/2023/world/article/6552870_36133.html