中 반도체업체 CXMT 또 기술도약?…"논문서 GAA 설계 역량 시사"

홍콩매체 "美제재 위반 가능성도 제기"…CXMT "기초 연구일뿐" 부인

(홍콩=연합뉴스) 윤고은 특파원 = 중국 주요 D램 반도체 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 미국 제재를 뚫고 또 하나의 기술 도약을 이뤄냈을 수 있다는 분석이 제기됐다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 13일 보도했다.

보도에 따르면 CXMT는 이번 주 미국 샌프란시스코에서 열린 제69회 국제반도체소자학회(IEDM)에 제출한 논문에서 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around)의 설계 역량을 시사했다.

GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로, 차세대 파운드리 '게임 체인저'로 평가받고 있다.

삼성전자는 지난해 6월 GAA를 3나노(㎚, 10억분의 1m) 공정에 세계 최초로 도입하는 등 최첨단 공정 기술 개발에 박차를 가하고 있다.

현재까지 GAA 트랜지스터 구조를 도입한 파운드리 업체는 삼성전자가 유일하며, TSMC는 2025년 2나노 공정부터 도입할 예정인 것으로 알려져 있다.

CXMT는 견본 제품을 제시하지는 않았다.

그러나 그러한 반도체 설계에는 일반적으로 미국 수출 통제 대상이 되는 기술이 포함되기에 이 회사가 GAA 생산에 대한 이해를 갖고 있다는 것에 업계 분석가들이 주목하고 있다고 SCMP는 설명했다.

대만 윈본드전자의 메모리 반도체 전문가 프레데릭 첸은 SCMP에 "CXMT의 발전 증거는 인상적"이라며 "이는 이 회사가 최신 연구와 제품으로부터 멀리 있지 않음을 보여준다"고 평가했다.

이어 "삼성전자가 같은 것을 하려고 하고 있기에 이는 의미심장하다"고 짚었다.

반도체 컨설팅회사 세미어낼리시스의 딜런 파텔 수석 애널리스트는 소셜미디어 엑스를 통해 최첨단 트랜지스터 아키텍처에서 CXMT의 진전은 미국 제재 위반이라고 지적했다.

그러면서 CXMT 논문 중 "우리는 소형 D램 아키텍처 실현을 위해 육각형 커패시터(capacitor)로 무접합 GAA를 성공적으로 제작했다"고 한 부분에 주목했다.

그러나 CXMT는 이날 SCMP에 보낸 성명에서 "그 논문은 D램 구조와 4F2 설계의 타당성과 관련한 기초 연구를 기술한 것이며 CXMT의 현재 생산 공정과 아무런 관련이 없다"고 선을 그었다.

이어 "CXMT가 미국 제재나 수출 통제를 위반했다는 어떠한 비난도 완전히 부정확하다"면서 "우리는 IEDM이 추구하는 아이디어의 자유로운 흐름이 산업 혁신과 발전에 필수적이라고 굳게 믿는다"고 밝혔다.

지난해 8월 미국 상무부는 반도체 전자설계자동화(EDA) 소프트웨어의 수출 통제를 단행했다. EDA는 GAA 기술을 이용한 칩 제조에 필수적인 소프트웨어다.

해당 수출 통제로 중국의 3나노 공정 설계와 제작이 타격을 받을 것이라고 분석가들은 전망했다.

그러나 화웨이가 지난 8월말 중국산 칩을 탑재한 5세대 이동통신(5G) 스마트폰 '메이트 60 프로'를 깜짝 출시하는 등 중국은 미국의 제재에 강한 회복 탄력성을 보이고 있다고 SCMP는 짚었다. 화웨이와 CXMT 모두 미국의 수출 통제 대상이다.

앞서 CXMT는 지난달 29일 홈페이지를 통해 중국 최초 LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) D램을 생산했다고 밝혔다.

LPDDR은 모바일용 저전력 D램이다.

CXMT는 일련의 LPDDR5 제품을 출시한다고 알리면서 그중 12Gb(기가비트) LPDDR5는 샤오미와 트랜션 등 자국 스마트폰 제조사로부터 이미 인증을 받았다고 밝혔다.

CXMT가 내놓은 LPDDR5는 삼성전자와 SK하이닉스 등 글로벌 선두 주자들의 제품과 성능 면에서 크게 뒤처져있지만, 미국이 중국에 대한 반도체 제재를 강화하는 가운데 개발이 이뤄져 주목된다고 SCMP는 설명했다.

pretty@yna.co.kr

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