삼성전자-ASML, 1조 규모 반도체 제조 R&D센터 화성에 설립

윤 대통령 ASML 본사 방문 현장서 MOU
삼성전자-ASML, 차세대 EUV 기반, 초미세 제조 공정 공동 개발
SK하이닉스, EUV용 수소가스 재활용 공동개발
한-네덜란드 정부, 첨단 반도체 산학협력 MOU 체결
클린룸도 방문, 2나노 초미세공정 위한 장비 개발중

네덜란드를 국빈 방문한 윤석열 대통령이 빌럼 알렉산더르 국왕과 함께 12일(현지시간) 벨트호벤에 위치한 ASML 본사를 찾아 간담회 전 피터 베닝크(왼쪽) ASML 회장으로부터 본사 전경이 내려다보이는 창가에서 기업 설명을 듣고 있다. /사진=뉴시스화상

【암스테르담·벨트호벤(네덜란드)=김학재 기자】 네덜란드를 국빈 방문 중인 윤석열 대통령이 12일(현지시간) 세계적인 반도체 장비 기업 ASML 본사를 외국 정상으론 처음으로 방문했다.

윤 대통령과 빌럼 알렉산더르 네덜란드 국왕이 함께 한 가운데, 이 자리에서 삼성전자와 ASML은 1조원을 합작 투자해 한국에 차세대 반도체 제조 기술 R&D센터 설립하는 내용의 양해각서(MOU)를 체결했다.

해당 R&D센터 부지는 반도체 장비 클러스터가 조성되는 경기 화성이 유력한 것으로 전해졌으나, 다른 부지도 물색 중인 것으로 전해졌다.

ASML이 반도체 기업과 해외에 R&D 센터를 만드는 것은 첫 사례로, '반도체 제조강자' 삼성전자와 '반도체 장비 강자' ASML이 차세대 EUV(극자외선)를 기반으로 초미세 제조 공정을 공동 개발키로 하면서 시너지 효과가 상당할 것이란 전망이다.

이외에도 SK하이닉스와 ASML은 EUV용 수소가스 재활용 기술 공동개발 MOU를 체결해 연간 165억원대 비용 절감을 추진한다. ASML은 한국과 네덜란드 양국 정부가 함께 하는 첨단 반도체 아카데미 협력 MOU에도 참여해 양국 반도체 석·박사급 인재 교류에도 나서기로 했다.

윤 대통령은 이날 암스테르담에서 왕복 4시간 거리에 위치한 벨트호벤으로 이동, ASML 본사를 찾았다. 윤 대통령과 ASML 본사를 방문한 이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장은 ASML의 피터 베닝크 CEO 등과 함께 간담회와 MOU 서명에 참여했다.

윤 대통령과 빌럼 국왕이 지켜보는 자리에서 체결된 MOU는 3건으로, 삼성전자와 ASML은 차세대 반도체 제조 기술 R&D센터 설립 MOU 체결로 국내에 R&D센터를 설립해 운영한다. 내년부터 양사가 1조원을 합작하는 것으로, 실리콘 웨이퍼에 회로를 그려주는 ASML의 노광장비는 초정밀 반도체 제작을 위한 필수장비다. 이번 합작투자가 삼성전자와 대만의 TSMC, 인텔의 경쟁구도에도 상당한 영향을 줄 것이란 설명이다.

SK하이닉스는 ASML과 EUV용 수소가스 재활용 기술 공동개발 MOU를 체결, EUV 장비 내부의 광원이 흡수되는 것을 막는 수소가스를 소각하지 않고 재활용하는 기술을 공동 개발키로 했다. 이러한 재활용 기술로 EUV 한 대당 전력 사용량이 20% 감축돼 연간 165억원의 비용 절감 효과가 기대된다고 대통령실은 전했다.

양국 정부 간 한-네덜란드 첨단 반도체 아카데미 협력 MOU도 체결해 산학 협력을 적극 활용키로 했다.

앞서 윤 대통령은 빌럼 국왕과 방문 기념 문구가 새겨진 웨이퍼에 서명을 하면서 양국 간 반도체 동맹 상징 의미를 부각시켰다.

이어 양국 주요 반도체 기업인들과 간담회 후 윤 대통령은 차세대 EUV 장비를 생산하는 ASML 클린룸을 시찰했다.

삼성전자가 지난해 세계최초 3나노(3nm) 공정을 파운드리 생산라인에 적용하는데 성공한 이후, ASML의 클린룸에선 2nm 이하 최첨단 반도체 생산에 투입되는 차세대 EUV 장비가 제조되고 있었다.

박춘섭 대통령실 경제수석은 현지 브리핑에서 "ASML은 윤 대통령 방문에 맞춰 해당 시설을 처음으로 공개했다"며 "ASML과 한국 반도체 기업들과의 깊은 신뢰 관계와 전략적 협력 중요성을 보여준 것"이라고 설명했다.