[반도체 패키징 심포지엄]패키징 업계 생존법 “전공정 기술 융합·협력 시급”

국내 반도체 후공정 업계가 첨단 패키징 시대를 맞아 '기술 고도화'를 가장 시급한 선결 과제로 지목했다. 첨단 패키징 기술 난도가 높아 기존 기술로는 시장 대응이 어렵다고 한 목소리를 냈다. 특히 반도체 웨이퍼 제조 공정인 '전공정' 기술과의 융복합으로 각종 난제를 해결해야한다고 제시했다.

반도체 패키징 발전전략 포럼(대한전자공학회, 전자신문, 차세대지능형반도체사업단, 한국PCB&반도체패키징산업협회, 한국마이크로전자 및 패키징학회, 한국반도체산업협회)이 주최하는 '반도체 패키징 발전전략 심포지엄'이 8일 서울 강남구 SC컨벤션센터에서 열렸다. 고용남 하나마이크론 연구소장이 '반도체 패키징에서의 OSAT 업체의 역할과 기대'를 주제로 발표하고 있다. 김민수기자mskim@etnews.com

8일 개최된 '반도체 패키징 발전전략 심포지엄'에서 국내 외주반도체조립·테스트(OSAT)와 패키지 기판 업계 전문가들이 반도체 전공정과 후공정 기술 협력을 강조했다. 지금까지 반도체는 웨이퍼에 회로를 그리는 전공정과, 패키징 및 테스트를 하는 후공정으로 구분했다. 그러나 반도체 회로 미세화 한계를 극복하는 방법으로 패키징이 급부상하면서 영역 구분이 서서히 무너지는 추세다.

고용남 하나마이크론 연구소장(전무)은 '반도체 패키징에서의 OSAT 업체 역할과 기대'라는 주제 발표를 통해 패키징 업계가 극복해야할 당면 과제를 집중 분석했다. 고 전무는 “고대역폭메모리(HBM)와 2.5D 패키징에서 국내 OSAT 업계 기술 역량이 부족한 부분이 많다”며 “고단 적층 정렬과 이물(파티클) 제어, 발열, 실리콘 인터포저 제어 기술 등이 대표적”이라고 말했다.

2.5D 패키징은 최근 급부상한 인공지능(AI) 반도체를 패키징할 때 주로 쓰인다. 로직 반도체 옆에 HBM 연결하는 방식이다. 반도체(다이)를 수평 연결하려면 실리콘 인터포저가 필요한데, 보다 미세한 연결 회로를 구현하려면 첨단 노광 기술이 필요하다. 패키징 업계에서도 노광 공정을 진행하지만 전공정 대비 회로 미세화에는 한계가 있다. 고 전무는 “신규 노광 장비를 확충하고 기술 도입을 위해 반도체 제조사(전공정)와 협업하면서 공동 대응해야할 것”이라고 밝혔다.

반도체 패키징 발전전략 포럼(대한전자공학회, 전자신문, 차세대지능형반도체사업단, 한국PCB&반도체패키징산업협회, 한국마이크로전자 및 패키징학회, 한국반도체산업협회)이 주최하는 '반도체 패키징 발전전략 심포지엄'이 8일 서울 강남구 SC컨벤션센터에서 열렸다. 박광호 LG이노텍 미래기술연구소장이 '차세대 기판 기술 개발 동향'을 주제로 발표하고 있다. 김민수기자mskim@etnews.com

HBM을 제조하려면 실리콘관통전극(TSV) 기술이 필수다. 반도체에 미세 구멍을 뚫어 위·아래로 연결하는 것이다. 구멍을 뚫으면 주변에 얼룩(스미어)가 생기는데 후공정 업계에서는 습식(Wet)으로 이를 제거해왔다. 박광호 LG이노텍 미래기술연구소장은 “첨단 패키징에서는 습식으로 대응할 수 없다”며 “결국 드라이(플라즈마) 기술이 도입돼야 할 것”이라고 밝혔다. TSV 구멍 미세화에 따라 2마이크로미터(㎛) 이하 얼룩도 제거할 수 있는 방법이 필요한 것이다. 플라즈마 방식은 후공정보다 전공정에서 많이 활용한 기술이다. 또 전공정 대표 공정인 웨이퍼 평탄화를 위한 화학적기계연마(CMP) 기술도 패키징 적용 필요성이 제기됐다.

반도체 패키징 발전전략 포럼(대한전자공학회, 전자신문, 차세대지능형반도체사업단, 한국PCB&반도체패키징산업협회, 한국마이크로전자 및 패키징학회, 한국반도체산업협회)이 주최하는 '반도체 패키징 발전전략 심포지엄'이 8일 서울 강남구 SC컨벤션센터에서 열렸다. 이한성 대덕전자 선행 개발팀장이 'HPC 분야의 FCBGA 기판 요구사항 및 개발동향'을 주제로 발표하고 있다. 김민수기자mskim@etnews.com

이한성 대덕전자 선행 개발팀장도 “첨단 패키징 전환에 따라 반도체 제조사 요구사항이 다변화하고 있다”며 “이에 대응한 기술 고도화가 필요하다”고 덧붙였다.

권동준 기자 djkwon@etnews.com, 박종진 기자 truth@etnews.com