곽노정 SK하이닉스 사장 "제2, 제3의 HBM 될 차세대 제품 개발 노력"
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곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 2일 서울 성북구 고려대학교 서울캠퍼스에서 '메모리 반도체의 비전과 인재 육성'이라는 주제로 특별강연을 진행했다.
이날 곽 사장은 "고객별로 다양해지는 요구를 만족시킬 수 있는 SK하이닉스만의 '시그니처 메모리'를 만들어 갈 것"이라며 "이처럼 기존과는 차별화된 기술을 이루어내는 주체는 결국 사람이기 때문에, 회사는 인재 육성을 최우선 과제로 보고 꾸준히 힘을 쏟겠다"고 강조했다.
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(지디넷코리아=장경윤 기자)곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 2일 서울 성북구 고려대학교 서울캠퍼스에서 '메모리 반도체의 비전과 인재 육성'이라는 주제로 특별강연을 진행했다.
이날 곽 사장은 "고객별로 다양해지는 요구를 만족시킬 수 있는 SK하이닉스만의 '시그니처 메모리'를 만들어 갈 것"이라며 "이처럼 기존과는 차별화된 기술을 이루어내는 주체는 결국 사람이기 때문에, 회사는 인재 육성을 최우선 과제로 보고 꾸준히 힘을 쏟겠다"고 강조했다.
그간 메모리 반도체는 범용 제품으로서 더 작게, 높게 쌓는 형식의 경쟁이 주류를 이뤄 왔다. 그러나 AI 시대의 고객사 요구가 점차 다양화되면서, 메모리에 요구되는 성능 역시 다변화되기 시작했다.
이에 SK하이닉스는 고객사별 다양한 요구를 만족시키고자 시그니처 메모리라는 개념을 강조하고 있다.
곽 사장은 "HBM(고대역폭메모리) 처럼 SK하이닉스가 시장을 선도하고 있는 AI 분야의 시그니처 메모리 경쟁력을 더욱 강화해나갈 것"이라며 "제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL 기반 이머징 메모리 개발에도 많은 노력을 기울이고 있다"고 밝혔다.
이날 행사에서는 SK하이닉스가 구상 중인 D램, 낸드의 기술 개발 로드맵도 소개됐다.
곽 사장은 "D램의 경우 공정 미세화와 함께, 셀(Cell)을 낸드처럼 수직으로 쌓는 3D D램 기술을 준비 중"이라며 "낸드는 500단 이후가 어려운 도전이 될 것으로 보여, 고적층 기술과 함께 웨이퍼 본딩 기술 개발을 병행하고 있다"고 설명했다.
장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)
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