[비즈S+] 볕 드는 메모리 반도체… 삼성·SK하이닉스, 시설 투자 박차

삼성전자 평택사업장 생산라인 내부 전경. / 사진=삼성전자

메모리 반도체 시장이 보릿고개를 지났다는 인식이 확산되는 가운데 삼성전자와 SK하이닉스가 투자에 힘을 실으며 호황기 대응에 나선다.

2일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 3분기 반도체 부문에서 수조원대의 영업손실을 지속했지만 적자폭은 크게 축소하며 회복 흐름을 보였다.

삼성전자의 반도체(DS)부문의 3분기 실적은 매출 16조4400억원, 영업손실 3조7500억원이다. 매출은 전년동기(23조200억원)대비 28.6% 줄었지만 직전분기(14조7300억원)에 비해 11.6% 증가했다.

영업이익은 전년동기(10조600억원)대비 적자전환했지만 올해 1분기(-4조5800억원)와 2분기(-4조3600억원) 연속으로 4조원대의 적자를 낸 것에 비하면 손실폭을 크게 줄였다.

고대역폭메모리(HBM), DDR5, LPDDR5x등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전분기 대비 적자폭이 축소됐다는 게 삼성전자의 설명이다.

수요회복의 신호도 나타나고 있다. 업황 저점에 대한 인식이 확산되면서 부품 재고를 확보하기 위한 고객사의 구매 문의가 줄을 잇는 것으로 알려졌다.

삼성전자에 앞서 실적을 발표한 SK하이닉스는 올해 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원을 거뒀다. 1분기 3조4023억원던 적자 규모는 2분기 2조8821억원, 3분기 1조7920억원으로 빠르게 줄어들고 있다.

특히 D램부문은 흑자전환을 이뤘다. AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고 ASP 또한 약 10% 상승한 영향이다.

4분기부터는 실적 회복에 더욱 속도가 붙을 전망이다. D램과 낸드 가격이 오르면서 제조사들의 수익성 개선에 힘을 보탤 것으로 예상되기 때문이다.

시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8 2133' 고정 거래가격은 10월 기준 1.5달러로 지난달(1.3달러)보다 15.38% 뛰었다. 낸드 메모리 역시 지난 4월부터 3.82달러를 유지하다 지난달 들어 3.88달러로 상승세를 기록했다.

업황 회복 본격화에 따라 삼성전자와 SK하이닉스는 투자를 강화하기로 했다. 삼성전자는 올해 3분기까지 누적으로 DS부문에 33조4000억원의 시설 투자를 단행했다. 연간으로는 DS부문에 역대 최대규모인 47조5000억원을 투자할 예정이다.

특히 가파른 성장이 예상되는 HBM 투자에 집중한다. 삼성전자는 내년에는 HBM 캐파를 올해 대비 최소 2배 이상 확대해 향후 수요 변화에 따라 추가 대응할 방침이다.

SK하이닉스도 최근 3분기 실적발표 직후 콘퍼런스콜에서 "내년 시설투자는 올해보다 증가할 것"이라고 예고했다. SK하이닉스 역시 HBM에 주목하고 있다.

김우현 SK하이닉스 부사장은 "HBM 캐파 확보를 위한 TSV(실리콘관통전극) 투자가 최우선"이라며 "구체적인 투자 규모를 밝힐 수는 없으나 올해 대비 지속 성장하는 시장 수요를 충분히 대응할 수 있도록 준비해 프리미엄 시장을 선도할 것"이라고 강조했다.

이한듬 기자 mumford@mt.co.kr
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