갈길 바쁜 D램 1위 삼성전자, 4분기 흑자전환 위해 총력전 돌입

“D램 최선단 공정은 공급량 확대 나선다”
D램 사업 이익률 확보 위해 안간힘
“내년 HBM 생산규모 2.5배 늘릴 것”

삼성전자 평택캠퍼스 전경(삼성전자 제공)

세계 1위 D램 메모리 기업인 삼성전자가 올해 3분기에도 D램 사업에서 적자를 기록하며 부진한 흐름을 이어가고 있다. 특히 경쟁사인 SK하이닉스가 빠른 DDR5 전환과 고대역폭메모리(HBM) 사업의 호조로 가장 먼저 흑자전환에 성공했다는 점을 감안하면 D램 1위 기업이라는 자존심에 생채기가 난 셈이다.

삼성전자는 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 2조4336억원으로 지난해 동기보다 77.57% 감소한 것으로 집계됐다고 31일 공시했다. 매출은 67조4047억원으로 작년 동기 대비 12.21% 감소했다. 올 상반기에만 9조원 수준의 적자를 낸 삼성전자 DS(반도체) 부문은 3분기에도 영업손실 3조7500억원을 기록했다.

그래픽=정서희

이날 열린 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “10나노급 4세대(1a), 5세대(1b) D램을 비롯해 7세대·8세대 V낸드 등 최첨단 메모리 생산은 하향 조정 없이 공급을 확대할 것” 이라고 밝혔다. 특히 수익성이 높은 선단 공정의 D램 비중을 높여 수익성을 강화해 4분기에는 흑자전환에 성공하겠다는 의지를 드러낸 것이다.

SK하이닉스가 삼성에 앞서 D램 흑자전환에 성공할 수 있었던 배경으로는 한발 앞선 D램 감산과 함께 DDR5 D램 최선단 공정에서 가장 먼저 인텔 인증을 따내며 초기 물량을 독식하는 등의 성과를 냈기 때문이다. 또 급성장하고 있는 HBM 시장에서 매출 규모를 크게 늘린 것도 주효했다. HBM의 경우 최고 사양 D램에 비해 이익률이 5~6배 높은 것으로 알려졌다.

이를 의식한 듯 삼성전자 역시 내년부터는 HBM 생산 규모를 대폭 늘린다는 방침을 밝혔다. 이날 컨퍼런스콜에서 삼성전자는 내년 HBM 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘리겠다는 계획을 내놨다. 김재준 부사장은 “이미 주요 고객사와 해당 물량에 대한 공급 협의를 완료한 상황”이라며 이같이 밝혔다.

김 부사장은 “HBM3는 3분기에 이미 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다”며 “HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상한다”고 말했다.

다음 세대인 HBM3E도 24기가바이트(GB) 샘플 공급을 시작해 내년 상반기 내 양산을 시작할 예정이며, 36GB 제품은 내년 1분기 샘플을 공급할 예정이다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.

한편 메모리 시장 회복세는 감산 효과 등으로 속도를 낼 것으로 봤다. 김 부사장은 “메모리 업황 저점에 대한 인식이 확산하면서 부품 재고를 확보하기 위한 고객사 문의가 다소 접수됐다”며 “재고 수준은 D램과 낸드 모두 5월 피크 아웃(정점) 이후 지속적으로 감소 중”이라고 설명했다.

4분기에는 수요 개선과 생산량 하향 조정으로 더 빠르게 재고가 감소할 것으로 예상했다. 김 부사장은 “빠른 시간 내 재고 정상화를 구현하기 위해 추가 선별적인 생산 조정 등 필요한 조치를 지속적으로 실행할 예정”이라며 “특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상한다”고 말했다.

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