[컨콜] 삼성전자 "낸드 중심 메모리 감산 지속...선단공정 투자는 이어가"

내년 생산량 성장률 제한적...HBM 투자 쏠림 클 전망

(지디넷코리아=이나리 기자)삼성전자가 일부 메모리 제품에 대한 감산을 지속하지만 1a나노, 1b나노  D램, V7 낸드 등 선단 공정에 대한 투자는 지속한다는 계획을 밝혔다. 특히 낸드 감산량이 더 많을 예정이다.

삼성전자는 31일 2023년 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 "당사는 빠른 시간 내에 재고 정상화를 구현하기 위해 추가적인 선별적 생산 조정(감산) 등을 지속 실행할 예정"이라며 "특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정 폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상된다"고 말했다.

삼성전자 평택캠퍼스 조감도(사진=삼성전자)

이어 "특히 생성형AI, 온디바이스AI, 고성능 제품의 필수적인 첨단 공정 제품에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있는 반면에 2022년에서 2023년에 발생된 업계 내 감산 영향으로 2024년 선단공정 공급 확대는 제한적일 것으로 전망된다"고 덧붙였다.

반면 삼성전자는 그간 중장기 경쟁력 확보 차원에서 유지한 캐팩스를 기반으로 1a, 1b나노 D램 및 V7, V8 낸드 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속 확대해 나갈 계획이고, 이를 통해 당사의 시장 내에서의 위상은 더욱 강화될 것으로 예상한다"고 말했다.

또 내년 메모리 생산량 성장률은 제한적이나 HBM 투자 쏠림은 당분간 지속될 전망이다.

삼성전자는 "2022년 하반기부터 이어진 전반적인 캐팩스 축소 현상을 감안하면 내년 업계 내 생산 성장률은 상당히 제한적일 수밖에 없다"며 "주목할 만한 점은 제한된 캐팩스 내에서도 HBM 중심의 투자 쏠림 현상이 더해져서 그 외 선단 공정 기반 제품들의 빛 생산 성장률은 수요 성장 수준을 하회할 것으로 전망된다"고 말했다.

이나리 기자(narilee@zdnet.co.kr)