DB하이텍, 초고전압 전력반도체 공정기술 개선

게이트 드라이버 IC 설계·제조 지원

웨이퍼를 살펴보고 있는 DB하이텍 직원들. 한경DB

파운드리(반도체 수탁생산) 기업 DB하이텍은 27일 “초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화하고 있다”고 발표했다. 

초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신 등의 분야에서 모터를 구동하는 ‘게이트 드라이버 집적회로(IC)’의 설계·제조를 지원한다. 공정 기술 업그레이드로 DB하이텍은 게이트 드라이버 IC에서 ‘레벨 시프터’ 절연 방식과 ‘갈바닉’ 절연 방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공한다. 고객은 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 방식 각각의 장점을 살릴 수 있다. 

공정 활용은 기존 가전 분야에서 자동차나 태양광 분야로 확장될 것으로 전망된다. DB하이텍 관계자는 “향후 실리콘 전력반도체 응용 분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것”이라고 설명했다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com

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