V낸드 세계 첫 개발…경계현 삼성전자 사장 '금탑훈장'
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삼성전자 반도체사업을 이끄는 경계현 디바이스솔루션(DS)부문장(사장·가운데)이 금탑산업훈장을 받았다.
세계 최초로 V낸드(3차원 구조 낸드플래시) 기술을 개발하는 등 반도체산업 생태계 구축과 국가 반도체 기술 연구개발(R&D) 역량 강화에 기여한 공로를 인정받았다.
경 사장은 34년7개월간 반도체산업에 몸담으며 미래 반도체 기술 선점을 통한 산업 경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받았다.
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韓 반도체 경쟁력 끌어올려
차세대 융합기술 선점 공로도
삼성전자 반도체사업을 이끄는 경계현 디바이스솔루션(DS)부문장(사장·가운데)이 금탑산업훈장을 받았다. 세계 최초로 V낸드(3차원 구조 낸드플래시) 기술을 개발하는 등 반도체산업 생태계 구축과 국가 반도체 기술 연구개발(R&D) 역량 강화에 기여한 공로를 인정받았다.
산업통상자원부는 한국반도체산업협회와 함께 26일 서울 양재동 더케이호텔에서 ‘제16회 반도체의 날’ 기념식을 열었다. 반도체산업 유공자 82명을 대상으로 훈장 포상이 이뤄졌다.
경 사장은 34년7개월간 반도체산업에 몸담으며 미래 반도체 기술 선점을 통한 산업 경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받았다. 차세대 기술 개발 역량을 강화하고 새로운 시장을 창출해 한국 반도체산업의 경쟁력을 끌어 올렸다는 평가를 받는다. 낸드개발실 근무 시절 세계 최초로 3차원 낸드플래시인 V낸드 기술을 개발한 게 대표적인 사례다.
DS부문장을 맡은 이후엔 차세대 반도체 기술력 향상에 주력했다. 메모리 반도체와 인공지능(AI) 프로세서를 하나로 결합한 HBM-PIM을 개발해 차세대 융합기술을 선점한 것도 경 사장의 공으로 꼽힌다. 파운드리(반도체 수탁생산) 사업의 글로벌 경쟁력을 높이는 데 기여했다는 분석이다. 삼성전자는 2022년 6월 TSMC 등 경쟁사들을 제치고 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 칩을 가장 먼저 양산하는 쾌거를 이뤘다.
대규모 투자 결정을 통해 국내 반도체산업 발전에 기여한 점도 높은 평가를 받았다. 경 사장은 경기 평택 3라인 낸드플래시 생산 시설을 구축·가동했다. 300조원 규모 대형 투자 프로젝트인 ‘용인 시스템 반도체 클러스터’ 조성에도 적극 참여했다. 이 밖에 주요 대학과 협의해 반도체 계약학과를 신설, 인력 양성에 힘쓰고 소통 리더십을 발휘한 것도 수훈 이유로 꼽혔다.
황정수 기자 hjs@hankyung.com
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