경계현 삼성전자 사장, 제 16회 반도체의 날 '금탑산업훈장' 수상

34년 7개월 간 반도체 발전에 기여
2013년 세계 최초 V낸드 양산 공헌
3나노 파운드리·HBM-PIM 등 혁신 주도

[서울경제]

경계현 삼성전자 사장이 한국 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 금탑산업훈장을 수상했다.

산업통상자원부는 한국반도체산업협회와 공동으로 26일 서울 더케이호텔에서 제 16회 반도체의 날 기념식과 함께 수상자에 대한 시상을 했다고 밝혔다.

‘반도체의 날’ 행사는 반도체 수출 100억 달러를 달성한 1994년 10월 29일을 기념해 2008년부터 시작돼 올해로 16회째다. 업계 관계자 등 500여명이 참석했다. 행사에서는 금탑산업훈장을 받은 경 대표를 비롯해 △정지완 솔브레인홀딩스 회장 은탑산업훈장 △이병기 SK하이닉스 부사장 동탑산업훈장 등 82명의 반도체 산업 유공자들을 대상으로 포상도 이뤄졌다.

금탑산업훈장을 받은 경 사장은 삼성전자 반도체(DS) 부문을 총괄하고 있다. 1988년 삼성전자 이후 34년 7개월동안 회사 반도체 경쟁력 강화에 힘썼다. 2013년 세계에서 최초로 V낸드플래시를 개발해 삼성의 ‘초격차’ 기술을 주도한 것의 대표적이다. 지난해 DS부문 사장으로 선임된 이후 삼성전자의 대규모 설비 투자를 진두지휘했다. 삼성 반도체가 태동한 기흥 사업장에 차세대 반도체 R&D 단지 건설을 추진하고 있다. 이 단지에는 2028년까지 약 20조 원 투입된다. 세계 최대 반도체 공장인 평택 신규 생산 라인 투자도 총괄했다. 평택 공장은 2030년까지 생산 유발 효과만 550조 원 이상이고 130만명 이상의 고용 창출 효과가 기대된다. 평택 공장에는 극자외선(EUV) 노광 기술을 활용한 첨단 반도체 생산 라인이 갖춰져 있다. 경 사장은 차세대 반도체 기술 확보에도 집중했다.

은탑산업훈장을 수상한 정 회장은 반도체 공정에 필요한 박막 재료와 식각재 등을 국산화한 공적을 인정받았다. 이 부사장은 10㎚급 4세대 D램에 극자외선(EUV) 공정을 처음으로 도입하고 238단 낸드플래시 세계 최초 개발에 기여해 동탑산업훈장을 받았다.

이승렬 산업정책실장은 축사에서 “정부도 국정과제인 반도체 초강대국 달성을 목표로 반도체 산업의 초격차 제조역량 확보, 팹리스·소부장 경쟁력 제고, 글로벌 통상환경의 불확실성 해소 등을 위해 적극적으로 대응하겠다”고 말했다.

강해령 기자 hr@sedaily.com