SK하이닉스, D램 흑자전환...영업손실 1조 이상 축소

고성능 메모리 시장 수요 증가
영업손실액 2.88조→1.79조

SK하이닉스가 3분기 주력 메모리 제품 D램 사업에서 2개 분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 이로써 전체 영업손실 규모도 전 분기 대비 1조원 이상 줄이며 실적 개선의 탄력을 받게 됐다. ▶관련기사 8면

SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원, 순손실 2조1847억원의 실적을 기록했다고 발표했다. 특히 영업손실 규모는 앞선 1분기 3조4023억원, 2분기 2조8821억원에서 연속 감소세를 기록했다. 올해 3분기까지의 누적 적자는 8조736억원 수준이다.

SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며 “특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3(고대역폭메모리3), 고용량 DDR5(더블데이터레이트5)와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력 제품들의 판매가 호조를 보이며 전 분기보다 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다”고 설명했다.

무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 것이 주효했다. 매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다.

제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 중심으로 출하량이 늘었다.

흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있다.

실제로 올 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다.

이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. 회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV(실리콘 관통전극)에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 칩 패키징 기술이다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “SK하이닉스는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.

김지헌 기자

raw@heraldcorp.com